公开(公告)号：CN104724662A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310705594.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 豆传国 ,  杨恒 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  G01L1/18

Abstract: 本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底部；第二阻挡层，覆盖于所述多晶硅层表面；电极结构，包括用于引出所述多晶硅层的第一电极以及用于引出所述硅衬底的第二电极。本发明将多晶硅力敏电阻制作在盲孔或通孔的侧壁上，并通过衬底硅的连接作用，实现力敏电阻两端引线及焊盘在硅片正面的制作，同时本发明利用多晶硅电阻在孔内部的轴向力敏度远大于径向灵敏度，可用于对盲孔电镀填铜、通孔热处理过程引入的内部轴向应力的测量。

公开(公告)号：CN103021985A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110281248.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  豆传国 ,  吴燕红 ,  李昕欣 ,  王跃林

IPC: H01L23/488 ,  G01L1/18 ,  G01K7/18 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L2224/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（10）倒装焊于柔性基板（14）的焊盘上；通过柔性基板（14）的焊盘由焊线（15）实现电学引出。本发明通过采用柔性基板实现应力/温度传感器的电学引出，然后将已实现电学引出的传感器作为模拟芯片采用待测封装技术进行封装，通过测量封装前后的应力变化就可以得到该封装技术引入的应力。柔性基板电学引出的方法解决了封装用应力传感器难以实现封装前标定的问题。该传感器还可用于封装应力和温度的实时在线测量。

公开(公告)号：CN104724662B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310705594.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 豆传国 ,  杨恒 ,  吴燕红 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  G01L1/18

Abstract: 本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底部；第二阻挡层，覆盖于所述多晶硅层表面；电极结构，包括用于引出所述多晶硅层的第一电极以及用于引出所述硅衬底的第二电极。本发明将多晶硅力敏电阻制作在盲孔或通孔的侧壁上，并通过衬底硅的连接作用，实现力敏电阻两端引线及焊盘在硅片正面的制作，同时本发明利用多晶硅电阻在孔内部的轴向力敏度远大于径向灵敏度，可用于对盲孔电镀填铜、通孔热处理过程引入的内部轴向应力的测量。