公开(公告)号：CN107611075A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710785429.X

申请日：2017-09-04

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  苏州德龙激光股份有限公司

Inventor： 吴鹏珍 ,  林挺宇 ,  徐海宾 ,  王承伟

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种临时键合结构，包括：晶圆片；载体，所述载体为所述晶圆片提供机械支撑，并且由对激光烧蚀过程中所用激光透射率高的材料形成；释放层，所述释放层与载体相邻，并且由吸收激光并在激光的作用下破裂或分解的材料形成；防护层，所述防护层介于所述晶圆片与所述释放层之间，用于减少晶圆片对激光的吸收；以及粘合层，所述粘合层将晶圆片接合到载体。

公开(公告)号：CN106848036A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710150727.1

申请日：2017-03-14

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 尹雯 ,  侯峰泽 ,  林挺宇

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明公开了一种LED封装结构及其封装方法，其中所述方法包括：将多个LED芯片贴附在基板上，其中所述LED芯片的出光面靠近所述基板设置；在所述基板上形成封装胶层，所述封装胶至少覆盖所述LED芯片的电极凸点的根部并露出所述电极凸点；在所述基板上设置所述LED芯片的一侧形成金属层；对所述金属层进行图案化，分别形成对应每个所述LED芯片电极凸点的金属焊盘；对所述基板进行裁切。根据本发明所述的LED芯片的封装方法制备LED封装结构可一次性获得整板的LED封装结构，生产效率高；并且无需拆除基板，封装工艺较简单、难度小；所得LED封装结构的基板层可作为LED芯片的保护层，防止LED芯片被磨损。

公开(公告)号：CN106531711A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611117441.5

申请日：2016-12-07

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 郭学平 ,  于中尧 ,  曹立强 ,  林挺宇 ,  郝虎

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L23/492 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31

Abstract: 本发明提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，其中封装结构包括：基板，基板上形成有至少两个容纳空间；IGBT芯片和驱动芯片分别嵌入到对应的容纳空间内；形成在基板、IGBT芯片和驱动芯片表面上的第一介质层，IGBT芯片和驱动芯片的至少部分电极露出并覆盖有第一金属镀层，且至少一个IGBT芯片的栅极通过由第一金属镀层形成的第一线路层与驱动芯片的控制电极电连接；在第一介质层以及第一线路层上覆盖第二介质层，且IGBT芯片的源极和漏极上方的第一金属镀层露出；形成第一金属镀层上的金属种子层；形成在第二介质层和金属种子层上的第二金属镀层。本发明实施例提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，有效改善了芯片封装结构的电学性能。

公开(公告)号：CN104157551B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410371146.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 林挺宇 ,  顾海洋 ,  李婷

IPC: H01L21/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明涉及一种键合前进行基板表面预处理的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将基板在硬度为50～100邵氏D的研磨垫上进行第一次抛光，基板的研磨量为基板总厚度的3～5%；（2）将基板在硬度为50～100邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第二次抛光，基板的研磨量为基板总厚度的2～3%（；3）将基板在硬度为30～50邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第三次抛光，基板的研磨量为基板总厚度的1～1.5%；经步骤（3）抛光后的基板表面粗糙度

公开(公告)号：CN105244341A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510553045.6

申请日：2015-09-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陆原 ,  陈峰 ,  刘一波 ,  林挺宇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的FOWLP封装结构及制作方法，该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片，芯片非主动面通过DAF膜粘接在载板上，芯片四周的空隙填充介电质材料，介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；芯片主动面和介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层表面有重布线层，重布线层通过第一绝缘层的开口与芯片主动面的焊盘连接；第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板，采用膜辅助成型塑封技术，芯片间隙介电质填充层厚度可控，一次性到位，省略临时键合（拆键合）所需的材料和相应工艺。

公开(公告)号：CN104332456A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410448238.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 何洪文 ,  孙鹏 ,  曹立强 ,  林挺宇

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺，包括两个或多个晶圆级扇出型封装单元，其特征是：所述晶圆级扇出型封装单元包括第一塑封材料，在第一塑封材料中设置铜柱或铜线，第一塑封材料的正面设置正面再布线层，正面再布线层上设置正面微凸点，第一塑封材料的背面设置背面再布线层，背面再布线层上设置背面微凸点；相邻两个晶圆级扇出型封装单元通过上层封装单元的背面微凸点和下层封装单元的正面微凸点连接。本发明首先将芯片粘结在膜材料上，然后将铜柱与临时载片键合，然后粘附到膜材料上，应用塑封料进行整体塑封，再进行RDL和微凸点的工艺、三维堆叠工艺。本发明节约制造成本，并可以降低晶圆的翘曲，提高晶圆可靠性。

公开(公告)号：CN106356344B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201610810942.5

申请日：2016-09-08

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陈诚 ,  侯峰泽 ,  邱德龙 ,  林挺宇 ,  曹立强 ,  万里兮

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 本发明涉及一种基于三维堆叠封装的风冷散热结构及制造方法，包括依次堆叠于PCB板上的多层基板，在每一层基板的正面设置芯片，芯片的微凸点与基板正面的焊盘连接，基板的背面焊盘处形成BGA焊球；其特征是：在除最底层基板以外的每一层基板中设置通孔，通孔连通基板的正面和背面。在最底层的基板中设置通孔。所述上下层基板的通孔在竖直方向上位置一致。所述基板的堆叠层数为2层、3层或3层以上。所述芯片为裸芯片或经过封装后的芯片。所述基板为有机基板、陶瓷基板或Si转接板。所述通孔的位置分布在基板中央，或者在基板两侧。本发明所述散热结构工艺简单，制作成本低，可以实现大幅度降温，有效解决多层堆叠芯片的散热问题。

公开(公告)号：CN105047652B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510553331.2

申请日：2015-09-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陆原 ,  陈峰 ,  刘一波 ,  林挺宇

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的封装结构及制作方法，该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片，芯片主动面朝上，芯片之间的空隙填充介电质材料形成介电质层，且介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；所述芯片的底部有保护膜，芯片主动面和芯片之间介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层在芯片主动面焊盘上有开口；第一绝缘层表面有重布线层，第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层，第二绝缘层在重布线层焊盘上有开口；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板；采用膜辅助成型塑封技术，芯片间隙介电质填充层厚度可控，一次性到位。

公开(公告)号：CN108538803A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810233811.4

申请日：2018-03-21

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 郭学平 ,  林挺宇 ,  曹立强 ,  于中尧 ,  吴鹏珍

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种芯片后组装扇出型封装结构，包括：载板；位于载板第一面的第一可拆铜箔；附连在所述第一可拆铜箔上的第一外接焊盘；覆盖于所述第一外接焊盘及第一可拆卸铜箔的第一基板介质层；位于所述第一基板介质层且电连接至所述第一外接焊盘的第一导电通孔；位于所述第一基板介质层上或内且电连接至所述第一导电通孔的第一互连线路；位于所述第一基板介质层上且电连接至所述第一互连线路的第一芯片焊盘；覆盖所述第一互连线路的第一阻焊绿油层；电连接至所述第一芯片焊盘的第一芯片；以及覆盖于所述第一芯片上的第一塑封层，载板的第二面具有类似结构。

公开(公告)号：CN104788904B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510164313.5

申请日：2015-04-08

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 张婧宇 ,  林挺宇

IPC: C08L63/00 ,  C08K9/04 ,  C08K3/38 ,  C08K7/18

Abstract: 本发明公开了一种电子封装器件底部填充材料极其制备方法，各组分的质量组成为：环氧树脂100份；固化剂40‑80份；固化促进剂1‑10份；氮化硼纳米薄片5‑40份；纳米人造钻石5‑40份；消泡剂与流平剂1‑5份。还公开了其中六方氮化硼纳米薄片的剥离方法，该底部填充材料具有较高的导热系数及较低的热膨胀系数，其固化后的热膨胀系数低于30 ppm/℃，导热系数高于2W/m.k。