公开(公告)号：CN204834639U

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201520572688.0

申请日：2015-07-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  高芳亮 ,  温雷 ,  张曙光 ,  李景灵

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜，包括由下至上层叠的Si(111)衬底、第一InxGa1-xAs缓冲层、GaAs缓冲层、第二InxGa1-xAs缓冲层和GaAs外延薄膜。本实用新型得到的GaAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。

公开(公告)号：CN203288608U

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201320326378.1

申请日：2013-06-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  高芳亮 ,  吴平平 ,  李景灵 ,  管云芳

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。本实用新型的生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜的梯度缓冲层结构合理优化、经济、高效、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高，便于推广应用。