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公开(公告)号：CN111978169A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010902737.8
申请日：2020-09-01
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及聚合物太阳电池技术领域，尤其涉及一种1-苯基乙酰丙酮螯合物、其制备方法及应用。所述1-苯基乙酰丙酮螯合物，具有式(Ⅰ)所示结构，式(Ⅰ)中，M选自第ⅢA族中的任意一种金属元素或第ⅣB族中的任意一种金属元素。将1-苯基乙酰丙酮螯合物作为电子传输层的材料，并应用于聚合物太阳电池器件中，与其他电子传输层相比较，1-苯基乙酰丙酮螯合物在具有优异的传输能力的同时，可以在活性层表面形成了一定的半球状结构，增加了入射光的光程，同时在合理的调控厚度之后，使得器件中的最大光强处于活性层位置，强化的活性层的光吸收，从而提高了激子产生率，提高电池器件的短路电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108767112B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810336474.1
申请日：2018-04-13
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种具有不同空穴传输层的BiI3太阳能电池及其制备方法，BiI3太阳电池由衬底、透导电金属氧化物阴极层、电子传输层、BiI3活性吸光层、空穴传输层和阳极层顺次相连，其中空穴传输材料为MoO3或PTB7‑Th或spiro‑OMeTAD或Poly‑TPD或PBDT‑T。相比于传统的钙钛矿太阳电池，本发明中BiI3太阳电池具有无毒，制备方法简单，稳定性好的优点。带隙小于BiI3的空穴传输材料PTB7‑Th和PBDT‑T可以吸收长波段的光子，从而拓宽器件的吸收光谱，增强电池对入射光的利用率。此外，通过在活性层中掺杂Li‑TFSI来改善其形貌和电学性能，电池的效率得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN108767112A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810336474.1
申请日：2018-04-13
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种具有不同空穴传输层的BiI3太阳能电池及其制备方法，BiI3太阳电池由衬底、透导电金属氧化物阴极层、电子传输层、BiI3活性吸光层、空穴传输层和阳极层顺次相连，其中空穴传输材料为MoO3或PTB7‑Th或spiro‑OMeTAD或Poly‑TPD或PBDT‑T。相比于传统的钙钛矿太阳电池，本发明中BiI3太阳电池具有无毒，制备方法简单，稳定性好的优点。带隙小于BiI3的空穴传输材料PTB7‑Th和PBDT‑T可以吸收长波段的光子，从而拓宽器件的吸收光谱，增强电池对入射光的利用率。此外，通过在活性层中掺杂Li‑TFSI来改善其形貌和电学性能，电池的效率得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN104966782B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510232807.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池技术领域，具体公开了一种聚合物太阳能电池阴极修饰材料及其制备方法。所述阴极修饰材料为四乙醇乙酰丙酮钽。在光电活性层上旋涂四乙醇乙酰丙酮钽的溶液，即可得到阴极修饰层。本发明将四乙醇乙酰丙酮钽溶液制成的薄膜作为阴极修饰层引入聚合物太阳能电池中，实现了电子的高效收集；与现有的溶胶凝胶法制备的TiO2和真空蒸镀的LiF相比，本发明具有光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104966782A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510232807.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/422 , H01L51/0003 , H01L51/005 , H01L2251/308
Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池技术领域，具体公开了一种聚合物太阳能电池阴极修饰材料及其制备方法。所述阴极修饰材料为四乙醇乙酰丙酮钽。在光电活性层上旋涂四乙醇乙酰丙酮钽的溶液，即可得到阴极修饰层。本发明将四乙醇乙酰丙酮钽溶液制成的薄膜作为阴极修饰层引入聚合物太阳能电池中，实现了电子的高效收集；与现有的溶胶凝胶法制备的TiO2和真空蒸镀的LiF相比，本发明具有光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN103928615A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410184500.5
申请日：2014-05-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/441 , H01L51/0003 , H01L51/004
Abstract: 本发明属于太阳电池阴极修饰技术领域，特别涉及一种自组装型聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法。本发明聚合物太阳电池阴极修饰材料为通过自组装而成的聚偏氟乙烯PVDF薄膜。其制备方法为将PVDF溶液直接滴加在活性层溶液中，充分搅拌，经一次性旋涂后通过溶剂退火得到自发分离阴极修饰层。PVDF溶液的引入，降低了聚合物太阳电池中电子收集的势垒，实现了电子的高效收集；自发分离的PVDF薄膜作为缓冲层有效减少空穴和电子的复合，降低漏电流，使聚合物太阳电池光电转换效率得到提高。并且该聚合物太阳电池具有制作工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN102447069B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110359001.1
申请日：2011-11-11
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于聚合物太阳能电池技术领域的一种聚合物太阳能电池阴极修饰材料及应用该修饰材料的电池。所述聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和阴极层，其中，所述阴极修饰层为乙酰丙酮氧化钛膜。所述阴极修饰材料为乙酰丙酮氧化钛。本发明以乙酰丙酮氧化钛为阴极修饰层，采用旋涂法制备阴极修饰层，将乙酰丙酮氧化钛引入聚合物太阳电池中，实现了电子的高效收集；并且与现有的溶胶凝胶法制备的二氧化钛和真空蒸镀的LiF相比，本发明也具有光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN102086396B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010567111.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体量子点的制备方法技术领域的一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用。将铜源、锌源、铟源和硫源的前躯体溶解于非极性混合溶剂中，在一定温度下成核生长，得到CuInS2-ZnS合金核ZCIS，再向溶液中交替加入锌源和硒源，在核上外延生长ZnSe，然后再外延生长ZnS，制得CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS结构量子点，最后向溶液中加入极性溶剂，沉降、离心、清洗、真空干燥得到固体量子点粉末。本发明得到的量子点尺寸为2-8纳米，粒径均匀，发光波长可调节，产率高。以该量子点为发光材料，制备的红、黄、绿颜色的量子点发光器件，表现出优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN103325946A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310198695.4
申请日：2013-05-24
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池材料技术领域的一种乙酰丙酮铬阳极修饰材料及其修饰方法。在透明导电阳极上通过溶液加工的方法（如旋涂）加工乙酰丙酮铬与溶剂的混合溶液，经热退火，紫外臭氧处理，得到阳极修饰层。将乙酰丙酮铬膜作为阳极修饰层，可以有效的实现空穴的收集，提高ITO的功函数，在聚合物太阳电池中表现出优异的性能。
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