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公开(公告)号：CN101320682B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810048015.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术，为一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为：①先合成和提纯纳米碳管；②在P型半导体上制备纳米碳管薄膜；③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再沉积一层光刻胶；然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定义所设计的图形，曝光后，将半导体器件置入显影液中显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽，刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；④在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金。本发明利用纳米碳管薄膜改善半导体器件的欧姆接触特性，具有制作工艺简单、成本低和适合大规模应用等优点，可以提高半导体器件的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN101304284A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810048113.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/17
Abstract: 本发明涉及高速大容量全光网络通信技术领域的全光3R再生器，它包括光学时钟恢复装置、光学非线性器件和光学延时干涉装置，所述光学时钟恢复装置用于从传输链路上多路受损光信号中任意选取一路受损光信号提取出同步的光时钟信号；该同步光时钟信号和多路受损光信号进入非线性光学器件，非线性光学器件用于实现光时钟信号和多路受损光信号之间的交叉相位调制XPM效应；经非线性光学器件实现交叉相位调制XPM效应所产生的多路光信号进入所述光学延时干涉装置，所述光学延时干涉装置为梳状滤波器，用于滤出发生XPM效应后每路光信号光谱中的特定的啁啾部分，同时滤除噪声以及劣化的信号部分，生成多路再生光信号。本发明提出的多通道全光3R再生器，能同时对各个通道在一个再生器中进行再生，避免了现有多通道再生装置因采用分开再生、再合并方法对原有的信号传输线路的破坏，保持了原有传输线路的完整性。同时，克服了目前实现多通道3R再生方案中存在的系统复杂，实现成本高，稳定性差和不易集成等缺点。
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公开(公告)号：CN101022206A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710051688.6
申请日：2007-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调谐半导体激光器，增益段的两端分别由两个布拉格反射段限定边界，前端和后端布拉格反射段都可设计为布拉格光栅，该光栅在形式上适用于生成峰值均衡的梳状反射峰。激光器的两个布拉格反射段还可以设计成布拉格光栅的各种变迹、相移和啁啾的形式。利用游标卡尺的原理，改变激光器两端布拉格反射段的折射率值，从而实现宽谱的准连续调谐。本发明的输出光功率高，每个信道的光功率一致性好，动态波长切换的速率高。
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公开(公告)号：CN1928689A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610124591.9
申请日：2006-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明公开了一种瞬态交叉相位调制型全光半加器，两个超短脉冲光源分别经调制器调制输出归零码，作为二路数据信号，二路数据信号经耦合器耦合后，再和激光器输出的连续光经另一耦合器耦合注入半导体光放大器中，半导体光放大器的输出功率分成两路，二路分别由光纤放大器放大、光带通滤波器进行光学滤波，滤波输出分别获得光逻辑“与”运算和光逻辑“异或”运算，其运算结果分别由光接收机来探测。本发明仅用一个半导体光放大器作为非线性器件，同时输出“异或”和“与”运算结果，极大简化了结构，便于集成，节约了成本；同时本发明不受半导体光放大器的增益恢复时间的限制，理论上可以达到100Gb/s以上的工作速率。
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公开(公告)号：CN1190696C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03128385.3
申请日：2003-07-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全光波长转换器，一个激光器经调制器调制输出泵浦光，另一个激光器输出连续的探测光，探测光和泵浦光经波分复用器耦合后，从光环形器的第一端口A输入，从第二端口B输出进入半导体光放大器，该光放大器的前端面、后端面均镀有增透膜，从半导体光放大器后端面反射回来的光经光环形器的第二端口B输入，从第三端口C输出到可调带通滤波器，滤出转换光信号。本发明采用基于单端耦合输入输出、双程增益的半导体光放大器结构，因而对消光比退化有很好地改善，且结构简单、容易实现，转换效率高，转换波长范围宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101488551A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910060799.2
申请日：2009-02-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法，该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率，并同时解决透明导电电极与P－GaN的欧姆接触问题；在工艺上，电极选材合理，采用了纳米压印技术，具有制作成本低，生产效率高及光栅分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN101272214A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810047528.9
申请日：2008-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04J14/02
Abstract: 本发明涉及光纤传输系统中波分复用系统(WDM)的传输控制，它提出了一种WDM传输系统的传输控制方法，在不改变现有WDM系统的情况下，在发射端阵列波导光栅(AWG)上间隔选择通道进行多通道的信号传输，间隔数为整数参量m，m大于零且小于二分之一通道数；与发射端AWG传输信号的通道对应的接收端AWG的通道接收该发射端AWG通道传输过来的原始信号，下载并且进行转发或者继续传输，在该接收信道的相邻信道，接收原始信号的解调信号，通过滤波选取或者直接提取信息。本发明提供的一种WDM系统的传输控制方法，无需对原有系统进行任何改动，也不需要增加任何器件，能同时实现波分复用系统中的非归零相位调制格式的解调和解复用，适用于不同速率的非归零(NRZ)信号和非归零差分相移键控(NRZ－DPSK)信号的传输。
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公开(公告)号：CN1760744A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510019772.0
申请日：2005-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明公开了一种实现全光逻辑与门和或非门的半导体光放大器级联结构，该结构为，CW光和信号光A分别与第一耦合器的输入端相接，第一耦合器的输出端依次接第一半导体光放大器、第一波长选择装置、第一功率调节装置；信号光B接入第二功率调节装置的输入端，第一功率调节装置和第二功率调节装置的输出端分别与第二耦合器的输入端相接， 第二耦合器的输出端依次接第二半导体光放大器、第二波长选择装置，通过调节第一功率调节装置和第二功率调节装置的输出功率，在第二波长选择装置不同的输出波长上，分别得到全光逻辑与门和或非门。本发明既可充分发挥交叉增益调制型全光逻辑器件的优点，又可以基于同种结构实现全光逻辑与门和全光逻辑或非门。
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公开(公告)号：CN201017151Y
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200620157575.5
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种瞬态交叉相位调制型全光半加器，两个超短脉冲光源分别经调制器调制输出归零码，作为二路数据信号，二路数据信号经耦合器耦合后，再和激光器输出的连续光经另一耦合器耦合注入半导体光放大器中，半导体光放大器的输出功率分成两路，二路分别由光纤放大器放大、光带通滤波器进行光学滤波，滤波输出分别获得光逻辑“与”运算和光逻辑“异或”运算，其运算结果分别由光接收机来探测。本实用新型仅用一个半导体光放大器作为非线性器件，同时输出“异或”和“与”运算结果，极大简化了结构，便于集成，节约了成本；同时本实用新型不受半导体光放大器的增益恢复时间的限制，理论上可以达到100Gb/s以上的工作速率。
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公开(公告)号：CN200993681Y
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200620163361.9
申请日：2006-12-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种光纤型全光码型转换器，它包括温控电路和位于密封盒内的光纤型马赫－泽德干涉仪、导热热沉、半导体制冷器、热敏电阻以及散热片；干涉仪由位于导热热沉上的二个3dB耦合器级联而成，两臂的长度差ΔL与产生的延时差ΔT之间的关系为ΔL＝c·ΔT/n，c为真空中光速，n为光纤折射率；热敏电阻用于对干涉仪的温度进行探测，温控电路用于比较热敏电阻反馈的探测电压和设定电压，对半导体制冷器的工作电流进行调节，半导体制冷器通过导热热沉对干涉仪两臂同时进行制冷或加热。与其他全光码型转换装置相比，本实用新型不存在速率限制，可减小信号噪声，能够实现多种不同的码型转换，码型转换结果稳定。
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