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公开(公告)号：CN100595848C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810047907.8
申请日：2008-06-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种镍基导电浆料的制备方法，以次亚磷酸钠还原镍盐水溶液与铬盐水溶液的混合溶液制备亚微米级镍铬混合金属粉，在亚微米级镍铬混合金属粉表面包覆纳米银制得镍基金属粉。以镍基金属粉作为导电相制备导电浆料，并在浆料中加入抗氧化剂硼，导电浆料的抗氧化温度可以达到900℃，制得的镍基金属粉除用于多层陶瓷MLPTCR的内电极外，还可以替代银、钯等贵金属电极用于多层陶瓷电容器、特种微波陶瓷、压电陶瓷。它的应用能大幅度降低电子元件的成本，有较好的经济效益。
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公开(公告)号：CN100516318C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN1805424A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510137114.1
申请日：2005-12-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种网格模拟方法，它包括信息配置、网格实体构造、模拟程序生成、模拟程序执行和模拟结果输出五个步骤。根据该方法实现的模拟器包括信息配置模块、网格实体构造模块、模拟程序生成模块、模拟程序执行模块和模拟结果输出模块。模拟器对用户实体、任务实体、资源实体、信息目录实体、调度器实体、网络实体和统计分析实体进行建模，为准确模拟网格应用环境提供支持。模拟器利用离散事件模拟基础架构的支持，通过独立的线程来模拟网格系统中的各个实体，线程自身不断地循环，模拟实体行为并处理来自外部实体的消息。模拟器具有良好的用户界面和丰富的模型支持，并提供相应的数据统计和分析工具，有效地反映模拟结果。
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公开(公告)号：CN104609850B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510032492.7
申请日：2015-01-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该基板材料由5ZnO·2B2O3粉料和Pb1.5Nb2O6.5粉料混合烧结而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5的摩尔百分比含量为4.5～7.0mol％，基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为Pb1.5Nb2O6.5，介电常数εr＝7.7～8.6，品质因数Q×f＝9974～16674GHz，谐振频率温度系数τf＝‑14～+21ppm/℃，满足电路对基板材料的微波介电性能要求，满足与银共烧的烧结温度要求和化学兼容性要求，能很好地实现与银电极的低温共烧，且原料价格低廉，工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN102896007B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210381369.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微流控器件及其制备方法；微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层；电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式，可降低液滴驱动电压和声波驱动功率，更有效简化芯片制作工艺，降低制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103288438B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310200524.0
申请日：2013-05-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/453 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种用作基板材料的低温共烧陶瓷。该陶瓷基板材料的原料配方组成为ZnO、H3BO3、CaCO3和TiO2，烧结后陶瓷基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为CaB2O4和Zn2TiO4。该陶瓷基板材料的制备方法为：先由H3BO3与ZnO预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再由CaCO3与TiO2预烧合成CaTiO3粉体。然后将合成好的3ZnO·B2O3粉体和CaTiO3粉体混合，其中CaTiO3质量占总质量的百分比为3％～12％，即得到低温共烧陶瓷基板材料粉料。该粉料经加入去离子水进行球磨、烘干、造粒和烧结可得到性能优异的陶瓷基板材料。该材料体系的优选烧结温度为840～880℃，优选烧结温度范围内的微波介电性能为：介电常数εr＝7～8.1；Q×f＝11000～22600GHz，且能与Ag共烧，满足低温共烧陶瓷基板材料的性能要求。
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公开(公告)号：CN102946236A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210405161.X
申请日：2012-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。
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公开(公告)号：CN102531575A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110415952.6
申请日：2011-12-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了提供一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的结构式为：(Bay-xSmx)TiO3+mSiO2+nMn(NO3)2+pBN，式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。本发明采用流延成型方法，利用Sm2O3掺杂BaTiO3基PTCR粉体制得的流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；在还原气氛中烧结，在空气中再氧化，再在表面上涂电极。本发明克服了高Ba/Ti比的半导化陶瓷材料电阻率高的不足，PTCR陶瓷材料具有晶粒尺寸小、室温电阻率低和PTC效应大的特点。
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公开(公告)号：CN102517624A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110423024.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多段控温晶体生长炉，包括炉体，所述炉体上端设有安瓿悬挂装置，所述炉体外部设有炉体隔热层，所述炉体分为上保温区和下保温区，其特征在于，所述炉体上、下保温区之间还设有生长区，所诉生长区包括在所述炉体轴向安置的多个加热单元，相邻加热单元之间设有隔热层。本发明可根据需要调节多段加热单元的温度，获得所需的温度梯度区间及合适的温度梯度，从而实现大尺寸、高质量单晶的生长。
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公开(公告)号：CN101483417A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910060548.4
申请日：2009-01-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03H3/007 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法，即采用固相法，向主晶相Al2O3粉末中加入Co，Mn，Cr，Si，Ti，B，V等元素，对氧化铝进行掺杂改性，降低了氧化铝陶瓷的烧成温度，并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法，选择了适合氧化铝的流延成型剂，复合溶剂，复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料，提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延，设备简单可行，自然干燥过程方便，干燥过程不会引起坯体的破裂，起皱，和无法脱膜的现象。制得膜体致密，并用机械打孔法来制备叠层基片，得到多层布线用黑色氧化铝基片。
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