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公开(公告)号：CN112467035B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011310022.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。
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公开(公告)号：CN112457843B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011328007.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法，其中的应用是将卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用，该卤化物钙钛矿材料的化学式为PEA2PbBrxCl(4‑x)，其中，PEA代表苯乙胺，x为满足4≥x≥0的任意实数；所述高能射线的能量>1keV。本发明通过对钙钛矿材料的组成、结构进行改进，采用特定组成的卤化物钙钛矿材料PEA2PbBrxCl(4‑x)应用于高能射线探测，利用卤素钙钛矿优异的发光性质，可以将高能射线高效转化成可探测的可见光信号，同时发光寿命短，从而可用于PET和CT等高能射线成像中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137359B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910278177.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/48 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种用交流电抑制钙钛矿光电探测器电流漂移的方法及器件，其中的方法具体是通过将向钙钛矿光电探测器中钙钛矿功能层两端施加的偏压控制为交流电，利用该交流电减弱钙钛矿功能层中钙钛矿材料内的离子迁移现象，从而抑制钙钛矿光电探测器工作时的电流漂移。相应的器件包括用于最终向钙钛矿功能层两端施加交流电的交流电源，该交流电作为钙钛矿功能层偏压，减弱钙钛矿功能层中钙钛矿材料内的离子迁移现象，能够抑制该器件工作时的电流漂移。本发明通过控制钙钛矿光电探测器工作时所加的偏压为交流电，利用交流电将减弱离子迁移现象，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的电流漂移问题。
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公开(公告)号：CN110698077A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910847897.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/22 , C04B41/85 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/115
Abstract: 本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。
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公开(公告)号：CN108559503A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810293648.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/74
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法，该制备方法引入两步析晶过程，避免Cs2AgBiBr6钙钛矿在有机溶剂中组分偏析现象。主要在于：采用反溶剂滴定前驱体溶液，去除早期析晶副产物，离心分离后获得清液作为Cs2AgBiBr6钙钛矿长晶溶液，再通过反溶剂析晶过程缓慢合成出Cs2AgBiBr6钙钛矿材料。本发明制备方法能有效避免由于组分溶解度不同导致的偏析现象。相对于用酸作为溶剂，有机溶剂的溶解度更大，对密封性和容器的抗腐蚀性要求更低，能够显著提高合成效率。
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公开(公告)号：CN107248538A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710375865.X
申请日：2017-05-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。
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公开(公告)号：CN106637403A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611066423.9
申请日：2016-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶的制备方法，包括取第一卤化物和第二卤化物混合，并用极性溶剂搅拌溶解，制得钙钛矿溶液，第一卤化物、第二卤化物和极性溶剂的质量比要求使钙钛矿溶液过饱和；将钙钛矿溶液进行过滤处理；将所述进行过滤处理的钙钛矿溶液置于疏水容器中，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择疏水材料作为钙钛矿单晶的生长容器，由于疏水容器壁的疏水性，疏水容器壁上生成的晶核数急剧减少，长出的单晶数量相对减少，单位时间内长出的晶体更大，碎晶的数量减少，溶液利用率得到提升，晶体质量显著提高。
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