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公开(公告)号：CN113173559A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110470835.3
申请日：2021-04-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种灰度曝光制备2.5D微纳结构的方法，属于半导体学中的微观结构技术领域。包括：将2.5D微纳结构的高度分成2N个等级，建立对应的N张二元曝光版图，其中N＞I；再获取所述N张二元曝光版图的并集，建立一个额外的补偿版图；在硅片上旋涂光刻胶后进行N+1次分层曝光，获取包含2N种高度的光刻胶层；以光刻胶层作掩膜进行干法刻蚀制备纳米压印模板，通过软膜热固化纳米压印，再加上紫外固化纳米压印的二次转印即可批量生产。本发明的纳米压印模板图形精度高，具有2N个不同高度，且通过软膜转印、纳米压印、干法刻蚀制备的微纳结构效率高、成品率高、尺寸精确。
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公开(公告)号：CN109031493A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810838011.5
申请日：2018-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B5/28
CPC classification number: G02B5/288
Abstract: 本发明公开了一种基于介质超表面的窄带滤光片，包括衬底、多层介质薄膜和在薄膜上制备的介质超表面。介质超表面为亚波长周期性结构，垂直入射的光束能够激发介质超表面内部光场的集群性相干振荡，并与入射光相互作用改变光的透射和反射特性。通过对于介质超表面结构单元和排布的设计，能够减小谐振的带宽，从而实现窄带滤波的特性。本发明还提供了制作方法，包括：在衬底上生长多层介质薄膜材料后，形成超表面图形结构的抗蚀掩模；将图形结构转移到顶层介质薄膜上；去掩模，清洗。本发明制作步骤简单且可与CMOS工艺兼容，能够同时实现窄带宽以及高消光比。与传统的多层膜窄带滤光片相比，降低了工艺成本，实现了更窄的带宽和更高的反射率。
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公开(公告)号：CN103928297B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310740548.5
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品，该方法具体为：(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f)高温环境下进行氧化和退火，使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗被析出；(g)在氮氢混合气氛下退火处理，形成锗硅纳米低维结构。本发明方法实现了锗硅纳米低维结构尺寸、形貌、位置及组分的可控制备，并具有工艺难度低、可重复性高、易于大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN102969302B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210475683.7
申请日：2012-11-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/02 , G03F9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，属于半导体器件微纳制造领域，其包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。本发明还提供了制作方法，具体为：（1）清洗衬底；（2）在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；（3）在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；（4）剥离附着在正性电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二氧化铪标记。本发明采用了耐高温、粘附性好、价格低廉二氧化铪来制作电子束光刻的套刻标记。与传统的“钛+金”标记相比，降低了工艺成本，解决了金标记与Si衬底粘附性不好问题，提高套刻标记对衬底的粘附性和高温承受能力，保持了较高的套刻精度。
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公开(公告)号：CN103928297A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310740548.5
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L21/02532 , B82Y40/00 , H01L21/02603 , H01L21/02664
Abstract: 本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品，该方法具体为：(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f)高温环境下进行氧化和退火，使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗被析出；(g)在氮氢混合气氛下退火处理，形成锗硅纳米低维结构。本发明方法实现了锗硅纳米低维结构尺寸、形貌、位置及组分的可控制备，并具有工艺难度低、可重复性高、易于大规模集成等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116858087A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310556929.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B9/02055
Abstract: 本发明公开了一种马赫曾德尔干涉仪工作点监测器，属于集成光器件技术领域，监测器自下而上依次包括：埋氧层、铌酸锂平板区域及器件区；所述器件区包括马赫曾德尔干涉仪及两个监测光栅；所述马赫曾德尔干涉仪包括波导、光分束结构和1×2型多模干涉器；所述光分束结构的两个输出端与所述1×2型多模干涉器的两个输入端之间分别通过所述波导连接，所述光分束结构的输入端和所述1×2型多模干涉器的输出端分别连有所述波导；所述两个监测光栅分别位于所述1×2型多模干涉器输出端所连波导的两侧。本发明的工作点监测器具有较大的工艺容差和光学带宽，不影响马赫曾德尔干涉仪本身的输出，同时能够实现片上集成。
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公开(公告)号：CN116560119B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310746818.7
申请日：2023-06-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片，属于电光调制技术领域，包括：在铌酸锂上刻蚀的波导结构及电极结构；所述波导结构包括：输入波导、光分束器、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、光合束器及输出波导；所述电极结构包括：GSG型平面电极及设在GSG型平面电极两侧内的容性负载行波电极，且所述容性负载行波电极对称排布在所述第一直波导和所述第二直波导两侧。本发明通过在两个调制直波导之后设置对应的弯曲波导结构以及容性负载行波电极，能够有效改善硅基薄膜铌酸锂电光调制器的阻抗匹配、降低射频反射、提升电光调制器的带宽，并显著降低制备工艺的难度。
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公开(公告)号：CN116594241A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310561295.9
申请日：2023-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学、光通信以及微波光子学领域，公开了一种基于周期性极化铌酸锂薄膜的谐振型光学参量放大器，包括波导芯层、波导下包层及基底层，波导芯层包括谐振型光学参量放大组件；该谐振型光学参量放大组件包括周期性极化铌酸锂薄膜光波导、波长选择性谐振腔和可调谐相移区。本发明通过器件的组件构成进行改进，使用周期性极化铌酸锂薄膜光波导、波长选择性谐振腔和可调谐相移区构建谐振型光学参量放大器，利用周期性极化铌酸锂薄膜光波导的高效级联倍频(或和频)和差频二阶非线性效应实现信号光的光学参量放大；并且利用波长选择性谐振腔，能够使目标波长的光重复经过周期性极化铌酸锂薄膜光波导，实现对信号光进一步的光学参量放大。
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公开(公告)号：CN113687529A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111011105.3
申请日：2021-08-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，属于光通信器件技术领域。器件从下往上依次包括：衬底层、埋氧层、器件层、波导包覆层，所述器件层依次包括铌酸锂光波导、包层介质、电极组，所述包层介质的介电常数高于波导包覆层的介电常数，且所述包层介质的折射率低于铌酸锂光波导的折射率。本发明的调制器，通过在铌酸锂器件层和包覆层之间引入包层介质，因其具有较高的射频介电常数，且在通讯波段具有很高的光学透明度，使得在不引入额外光学损耗的前提下，增加了铌酸锂波导中的射频信号的电场分压，从而提高了电光调制效率。同时具有损耗低、结构紧凑等优点。
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公开(公告)号：CN109239432A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810836245.6
申请日：2018-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮氧传感器的微弱电流检测电路，包括：依次连接的电流电压转换电路、差分低通滤波器和仪表运算放大器；通过在信号回路中接入采样电阻构成所述电流电压转换电路，所述电流电压转换电路用于将氮氧传感器采集的电流信号转换为N倍的电压信号；所述电压信号经过所述差分低通滤波器滤除高频干扰后再由所述仪表运算放大器进行准确有效的放大后输出；其中N的值等于采样电阻的阻值大小。本发明可以实现微弱电压信号的精确放大，这种仪表放大电路具有低失调、低输出误差、高信噪比、高共模抑制比、高增益等特点。
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