基于噻吩功能化的钌(Ⅱ)配合物3D电聚合薄膜

    公开(公告)号:CN110294855A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910612896.1

    申请日:2019-07-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于噻吩功能化的钌(Ⅱ)配合物3D电聚合薄膜的制备方法及其电化学和光电化学的性质,采用简单的电化学的方法使钌配合物在ITO电极上形成聚合物薄膜,发现3D聚合物膜表现出表面控制的RuIII/II相关的氧化还原行为和阴极光电流产生特性,具有较快的界面电子转移速率,较低的电荷转移电阻。在100mW/cm2白光照射下,聚合2圈的薄膜在没有加入任何电子受体的0.1M Na2SO4水溶液中显示出最大的光电流密度5.43μA cm-2,当氧气通入到电解质溶液中,光电流密度增大至14.29μA cm-2。表明RuL3的电聚合薄膜既是优异的敏化剂又是氧还原催化剂,本发明对制备具有高效的光电转换和氧传感和还原性能的修饰电极具有重要的意义。

    一种钌配合物薄膜的高效电化学聚合制备和应用

    公开(公告)号:CN108676149A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810274692.7

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明公开了一种含三苯胺基单核钌配合物的电聚合薄膜的制备方法及其电化学和光电化学的性质,采用简单的电化学的方法使单核钌配合物在ITO电极上形成聚合物薄膜,对薄膜的电化学的性质测试显示,该聚合物聚合1‑5圈薄膜能达肉眼可见的厚度,对薄膜进行的光电性能测试结果显示,在负偏压部分,所加偏压越负,该薄膜的光电流越大,当偏压为为正值时,光电流的变化幅度明显小于在负偏压时的光电流大小,表现出了很好的整流性质。因此,本发明中的含三苯胺基的单核钌配合物电聚合薄膜在能量转换领域有着广泛的应用前景。

    含噻吩基单核钌配合物电聚合薄膜的制备方法和光电化学性质

    公开(公告)号:CN105384916B

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201510641584.5

    申请日:2015-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种含噻吩基单核钌配合物的电聚合薄膜的制备方法及其电化学和光电化学的性质,采用简单的电化学的方法使单核钌配合物在ITO电极上形成聚合物薄膜,对薄膜的电化学的性质测试显示,该聚合物聚合20圈薄膜在水溶液中具有很好的稳定性,对薄膜进行的光电性能测试结果显示,在负偏压部分,所加偏压越负,该薄膜的光电流越大,当偏压为0V时也表现出了相当大的光电流,随着偏压继续增加,光电流的变化幅度明显小于在负偏压时的光电流大小,表现出了很好的整流性质。因此,本发明中的含噻吩基的单核钌配合物电聚合薄膜在能量转换领域有着广泛的应用前景。

Patent Agency Ranking