公开(公告)号：CN103546104B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310503791.5

申请日：2013-10-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  丁春宝 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  陈亮 ,  付强 ,  赵彦晓 ,  高栋 ,  鲁东 ,  周孟龙 ,  张卿远 ,  邵翔鹏 ,  霍文娟

IPC: H03F1/26

Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。

公开(公告)号：CN104953984A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510357707.2

申请日：2015-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 赵彦晓 ,  张万荣 ,  黄鑫 ,  谢红云 ,  邓蔷薇 ,  金冬月

IPC: H03H11/30

Abstract: 本发明提供了一种线性化的晶体管合成电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，第一电流镜，第二电流镜，第三电流镜，反馈电容，可调电阻，第一可调电流源，第二可调电压源。其中：两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器能够把第二跨导放大器的输入电容回转成等效电感。可调电阻用于提高晶体管合成电感的等效电感值与品质因子Q值。第一电流镜中的一个MOS晶体管与第一跨导放大器中的一个晶体管连接构成电路复用的负阻网络，提高了Q值。采用反馈电容与三个电流镜构成的前向反馈电流源，改善了电感的1-dB压缩点和总谐波失真。本发明电感可应用于放大器中，提高放大器的线性度，并且当输入信号的幅度变化时，放大器的增益稳定。

公开(公告)号：CN103888083A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410106213.2

申请日：2014-03-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 赵彦晓 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  高栋 ,  赵飞义

IPC: H03F1/26 ,  H03G3/20

Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。

公开(公告)号：CN103546119A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310503465.4

申请日：2013-10-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  周孟龙 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  丁春宝 ,  赵彦晓 ,  陈亮 ,  付强 ,  高栋 ,  鲁东 ,  张卿远 ,  邵翔鹏 ,  霍文娟

IPC: H03H11/04

Abstract: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络，所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间，所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接，第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接，所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接，并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q，并使实部损耗减小。