-
公开(公告)号：CN201637699U
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200920107022.2
申请日：2009-05-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及低维纳米材料显微结构与电学性能的测试装置,该装置在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是低维纳米材料，低维纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方，低维纳米材料上是非晶阻挡层，金属电极上引出导线。本实用新型可以在原子点阵分辨率下，原位地测量低维纳米材料的显微结构与电学性能的相关性。
-
公开(公告)号：CN201522458U
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200920220390.8
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及透射电镜用力电性能与显微结构的传感器。本实用新型为一个中空的结构，该结构自下而上由阻挡层、硅衬底、外延层α和绝缘层组成；该结构中间部分的阻挡层和部分硅衬底被刻蚀，剩余的周边部分包括阻挡层、硅衬底、外延层α和绝缘层四层，称为基础部分；中间部分继续被刻蚀穿形成压敏电阻悬臂梁和悬空结构；传感器的基础部分上放置双金属片；所述的悬空结构，位于双金属片与压敏电阻悬臂梁之间且互相不接触；悬空结构通过两侧的支撑梁连接在基础部分上；所述的悬臂梁和基础部分的上方有一个惠斯通电桥电路。本实用新型可在原子点阵分辨率下，原位记录低维纳米材料力电性能和显微结构变化的相关性。
-
公开(公告)号：CN201488957U
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200920107023.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/225 , G01N21/84 , G01R31/00 , B82B3/00
Abstract: 本实用新型涉及一种纳米线的显微结构与电学性能测试装置。现有的测试装置只能应用在扫描电镜和光镜中对纳米线进行电学性能的测试，得不到纳米线显微结构变化的信息。该装置其特征在于：在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是纳米线，纳米线和金属电极之间由金属连接线连接，纳米线位于非晶层上对着在窗口的正上方，金属电极上引出导线。本实用新型实现在透射电镜中原位地对纳米线加电，从最佳的晶带轴观测高分辨图像，实现X，Y两个方向最大角度的倾转，提供了一种纳米线原位电性能测试方法，具有性能可靠，安装方便，结构简单的特点。
-
公开(公告)号：CN201522985U
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200920269907.2
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种定量测量力电性能与显微结构的传感器。该传感器为一个中空的结构，自下而上由阻挡层、硅衬底、外延层α和绝缘层组成；该结构中间部分的阻挡层和部分硅衬底被刻蚀，剩余的周边部分包括阻挡层、硅衬底、外延层α和绝缘层四层，称为基础部分；中间部分继续被刻蚀穿形成压敏电阻悬臂梁和悬空结构；传感器的基础部分放置双金属片；所述的悬空结构，位于两个压敏电阻悬臂梁之间，悬空结构与其中一个压敏电阻悬臂梁不接触，悬空结构的一条边与这个悬臂梁的边缘平行；所述的悬臂梁和基础部分的上方有一个惠斯通电桥电路；本实用新型可以在原子点阵分辨率下，原位记录低维纳米材料力电性能和显微结构变化的相关性。
-
公开(公告)号：CN201166633Y
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200820078606.7
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本实用新型涉及一种透射电子显微镜样品载网，属于纳米材料测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分包括有金属环(1)，所述的电路部分包括有两个电极(2)、待测元件和相变材料非晶薄膜(5)，电极(2)与金属环(1)绝缘粘合，相变材料非晶薄膜(5)均匀分布在两电极(2)之间，相变材料薄膜(5)为非晶态，待测元件位于相变材料非晶薄膜(5中或者集成在其中的一个电极(2)上。本实用新型中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201464288U
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200920108973.1
申请日：2009-06-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种透射电镜用非磁性双金属片驱动器，包括非磁性单金属片、非磁性双金属片和导热金属框三部分，其特征在于：由线膨胀系数小的非磁性金属片和线膨胀系数大的非磁性金属片组成的非磁性的双金属片，固定在金属导热框的上方，非磁性单金属片位于两个非磁性双金属片之间，纳米材料位于非磁性的双金属片上方，置入透射电镜加热后，非磁性双金属片产生变形，驱动纳米材料变形。本实用新型排除了一般双金属片的磁性对透射电镜内纳米材料成像的影响，能方便快捷地得到纳米材料原子尺度的信息。
-
公开(公告)号：CN201285770Y
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200820122450.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种相变存储器单元结构，使用于微电子学中的纳米材料制造工艺中。该结构包括：在绝缘衬底上依次沉积的底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层和顶电极，特征在于：所述的相变材料层下方设置了具有中空槽的中空槽状钨电极，中空槽内填充有绝热材料SiO2，以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积，所述中空槽状钨电极的内半径为钨电极外半径的0.4倍以上，当单元两端的电流超过阈值电流后相变材料产生由非晶相到晶体相的转变。钨电极由于采用了中空结构，从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差，两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态，提高了相变存储器的存储能力。
-
公开(公告)号：CN201340380Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200820124520.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种应力状态下测量纳米材料力电性能与结构的装置。本实用新型在一个表面镀绝缘漆的金属绝缘环上放置两个双金属片，所述的两个双金属片平行或呈V字形放置在金属绝缘环的同一平面上，每个双金属片的一端固定在金属绝缘环上面，另一端悬空在金属绝缘环内，两个双金属片的距离控制在0.002－1mm。本实用新型提供了一种针对目前半导体及信息工业占统治地位的自上而下技术(Top－Down)的有效而简单的应力状态下单体纳米材料原位实时动态的力学－电学－显微结构相关性测量的装置。
-
公开(公告)号：CN201149574Y
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200820078605.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本实用新型涉及一种在扫描电子显微镜中对待测微型元件进行电学测量的装置，具体为一种扫描电子显微镜原位电学测量装置，属于纳米材料性能原位测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括两个固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜均匀分布在两金属电极之间，待测元件位于相变材料非晶薄膜中或者集成在金属电极上。本实用新型中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
-
公开(公告)号：CN202134501U
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201120181343.4
申请日：2011-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J37/20
Abstract: 透射电镜用双轴倾转的原位力、电性能综合测试样品杆属于透射电子显微镜配件及纳米材料原位测量研究领域。本实用新型包括自设计透射电镜样品杆，力电性能传感器，压片，样品头前端，传感器载台；力电性能传感器通过压片固定在样品杆前端上的传感器载台上，传感器载台通过位于两侧的转轴与样品杆前端连接并且可以绕这两个转轴在垂直于样品杆前端的平面内旋转(即绕着Y轴旋转，±30°)；力电性能传感器上的电极通过压片连接到位于样品杆前端两侧的电极上，经样品杆内的导线连接到外部测试设备上实现力电信号的面内加载(传感器平面内)及反馈的实时监测。本实用新型可将研究样品倾转到低指数正带轴下实现原位原子尺度观察的同时获得力、电综合性能参数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.023 seconds)
