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公开(公告)号：CN108493320B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810443848.X
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 中实创科技(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，包括氮化铝基板及其制备方法，氮化铝基板上设有线路电极，其特征在于，所述氮化铝基板表面涂覆有金属纳米复合缓冲镀层，在金属纳米复合缓冲镀层上贴合带光学碗杯的光学碗杯复合板，在光学碗杯复合板上设有与金属纳米复合缓冲镀层贴合接触的纳米Ag反光层，该纳米Ag反光层封装LED芯片，形成带有光学碗杯的分立式集成LED光源。本发明封装效率高，提高了LED光源的出光效率、导热性能和热稳定性。
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公开(公告)号：CN109982479A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910096412.2
申请日：2019-01-31
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光电路，所述白光发光二极管的调光电路包括：控制单元，以输出控制信号；恒流源模块，以输出恒定电流，所述控制单元耦合至所述恒流源模块；多个发光二极管，包括红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管，所述恒流源模块与所述多个发光二极管电性连接；其中，所述控制单元通过脉冲宽度调制的方法，利用所述恒流源模块对所述多个发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN108305932A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810191251.0
申请日：2018-03-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效白光LAMP-LED结构及封装方法，解决了现有技术在白光LAMP LED封装过程中焊线不良、出光效率不佳的问题。本发明包含有倒装LED芯片，倒装LED芯片安装在平头Γ型支架的平台上；LED荧光粉胶混合物将倒装LED芯片与平头Γ型支架上端包裹并形成半球形LED荧光粉发光层；环氧树脂胶包裹在半球形LED荧光粉发光层外围并形成环氧树脂胶透镜；倒装LED芯片与平头Γ型支架的平台通过固晶锡膏连接；平头Γ型支架由匹配的一对平头Γ型正极支架、平头Γ型负极支架组成。本发明利用平头Γ型支架作为白光LED封装支架，简化了固晶焊线工艺并提高产品的可靠性，大大提高了白光LAMP LED出光效率。
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公开(公告)号：CN105449051B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410421676.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案:在InGaN/GaN多量子阱有源层和p‑GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变化的空穴扩展层：如组分及掺杂渐变的单层p‑AlInGaN空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑AlInGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑InGaN/GaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑AlInGaN/InGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；通过优化生长所述空穴扩展层的方法，改善LED电流扩展效果，有效提高同质LED发光效率。本发明看好其应用前景。
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公开(公告)号：CN104538521B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410836533.3
申请日：2014-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N量子阱结构的应力释放层、低温n-Aly1Ga1-y1N电流扩展层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层、p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层、高温p型GaN层和p型InGaN接触层。本发明通过优化n型应力释放层和n型电流扩展层，可改善近紫外LED电流扩展效果，进而有效提高近紫外LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105449051A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410421676.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案:在InGaN/GaN多量子阱有源层和p-GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变化的空穴扩展层：如组分及掺杂渐变的单层p-AlInGaN空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-AlInGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-InGaN/GaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-AlInGaN/InGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；通过优化生长所述空穴扩展层的方法，改善LED电流扩展效果，有效提高同质LED发光效率。本发明看好其应用前景。
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公开(公告)号：CN103034252B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210559376.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: G05D9/12
Abstract: 本发明公开了一种高温环境下使用的液位控制装置，其耐高温，结构简单，成本低廉。本发明包含有液源容纳区，液源容纳区通过进液通道连通液槽，液源容纳区的液面高于液槽的液面，进液通道内设有密封模块，密封模块与进液通道可密闭配合，密封模块连接控制模块，控制模块位于液槽内，控制模块将液位信息转化为信号传递到密封模块，控制模块传递给密封模块的信号是力信号、位置信号、形变信号，控制模块上设有一个及以上可增减或更换的重块。本发明通过选材、原理结构和密封面处理，实现了对高温液体的液位控制。
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公开(公告)号：CN102903653B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210319877.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。
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公开(公告)号：CN104264218A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410499656.2
申请日：2014-09-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于氢化物气相外延(HVPE)生长的加热装置，包括5个加热温区、炉内加热模块、加热炉体及加热炉外壳；所述加热炉体分为辅助加热温区和材料生长加热恒温区；所述各加热温区均设置多个加热模块及其内置温度传感器；所述各加热模块及其内置温度传感器分别与自动控温电路连接，通过自动控温电路合理调节加热模块的加热功率，结合在加热温区中设置的加热模块的种类及加热方式，将每一个温区的温度独立、精密控制在预设温度范围，从而实现炉内温场的温度分布均匀、稳定。本发明尤其适合于大面积区域的材料生长。
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公开(公告)号：CN103981512A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410196612.2
申请日：2014-05-10
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。
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