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公开(公告)号：CN109473347A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485406.8
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；进行电容耦合等离子体处理；最后将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。本发明的方法能够有效地将杂质激活，等离子体的自偏压能够使氦离子与样品表层晶格发生碰撞，从而局部地破坏硅晶格周期性，而正是由于这一改变，硅样品在快速退火处理中，间隙位的杂质原子在周期性已经被部分破坏的硅中较容易地进入代位位置，从而被有效激活，使空穴浓度上升。
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公开(公告)号：CN109473346A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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公开(公告)号：CN107611000A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710857667.7
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
Abstract: 本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于可升降支架上的恒温中空盒上；中空盒裸露的表面镀有防沾污层，但与支架通过绝缘层隔开；真空腔室和支架暴露在真空腔室中的表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，该防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了掺杂的纯净度。
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公开(公告)号：CN106328474A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610899050.7
申请日：2016-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
CPC classification number: H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明公布了一种在室温环境下向氮化镓材料引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，从而进入到氮化镓材料或器件中。该方法既便捷又经济，其特点是样品表面掺杂浓度较高，可实现超浅深度掺杂，并且可同时引进多种杂质，无刻蚀作用，不仅适用于氮化镓薄膜或晶片的掺杂，还可对部分完成的氮化镓器件进行掺杂。
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公开(公告)号：CN1517387A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100550.0
申请日：2003-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/22
Abstract: 本发明公开了一种聚(苯撑苯并噁唑)及其预聚物与它们的制备方法，目的是提供一种合成聚(苯撑苯并噁唑)的预聚物，以解决聚(苯撑苯并噁唑)合成困难、生产条件苛刻、成型加工困难的问题。本发明所提供的为式(I)预聚物，其制备步骤为：1)以对苯二甲酰氯或间苯二甲酰氯与丙二氰为原料，在二氯甲烷/水溶剂中常温反应，制得双[(1－氯－2，2－二氰基)亚乙烯基]苯(BVB)；2)以制得的双[(1－氯－2，2－二氰基)亚乙烯基]苯(BVB)与二羟基二胺基苯盐酸盐类化合物为原料在有机缩合剂与有机极性溶剂存在下，通过60－80℃一步法制得可溶性预聚物聚{苯－1，4－双[(2，2－二氰基亚乙烯基)甲基]－(2，4－二羟基)苯－1，5－二亚胺}(PPMPI)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1517386A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100549.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/22
Abstract: 本发明公开了聚(苯撑苯并噁唑)及其预聚物与它们的制备方法，目的是提供一种合成聚(苯撑苯并噁唑)的预聚物，以解决聚(苯撑苯并噁唑)合成困难、生产条件苛刻、成型加工困难的问题。本发明所提供的为式(I)预聚物，是通过作为第一种酰氯化合物的对苯二甲酰氯或间苯二甲酰氯与二羟基二胺基苯类化合物为原料在有机缩合剂与有机极性溶剂存在下，常温一步法制得。本发明还公开了改性的聚(苯撑苯并噁唑)及其制备方法。本发明为聚(苯撑苯并噁唑)多领域应用提供了一个可行的前提。
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公开(公告)号：CN114357152B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111031124.2
申请日：2021-09-03
Applicant: 北京大学 , 腾讯科技(深圳)有限公司
IPC: G06F16/35 , G06F40/216 , G06F18/214 , G06N3/096 , G06F18/2431
Abstract: 本申请实施例公开了一种信息处理方法、装置、计算机可读存储介质和计算机设备，涉及互联网技术领域；通过获取目标样本；采用预设分类模型对目标样本进行分类处理，得到目标样本对应的第一类别概率分布；根据第一类别概率分布计算目标样本的困难系数，并基于困难系数对目标样本进行筛选，得到筛选后目标样本；采用训练后深度分类模型对筛选后目标样本进行分类处理，得到筛选后目标样本对应的第二类别概率分布；计算第二类别概率分布与第一类别概率分布之间的差异，并基于差异对预设分类模型进行收敛，得到训练后分类模型，该训练后分类模型用于对待处理信息进行分类。以此，在模型训练过程中提高了信息处理效率，进而提高了模型训练的效率。
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公开(公告)号：CN118775469A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410846093.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可变拉伸刚度弹簧及机器人，涉及机器人技术领域，其中，可变拉伸刚度弹簧包括软套和弹簧本体，软套形成有容纳腔，弹簧本体设置于容纳腔，弹簧本体包括弹性单元，弹性单元中穿设有摩擦件，摩擦件的刚度大于弹性单元的刚度，可变拉伸刚度弹簧包括常压状态和负压状态；当可变拉伸刚度弹簧处于常压状态时，弹性单元与软套分离；当可变拉伸刚度弹簧处于负压状态时，弹性单元与软套抵接。本发明提供的技术方案能够解决现有的拉伸弹簧无法调控拉伸刚度的问题。
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公开(公告)号：CN118579237A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410846097.1
申请日：2024-06-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种仿生机器鱼，涉及机器人技术领域，其中，仿生机器鱼包括依次铰接的头部组件、仿生张拉尾部组件和尾鳍组件，头部组件包括驱动件和驱动泵，驱动件设置有绕线盘，绕线盘缠绕有拉线，拉线的两端均穿过仿生张拉尾部组件并与尾鳍组件的两侧连接，仿生张拉尾部组件包括可变拉伸刚度弹簧，可变拉伸刚度弹簧形成有容纳腔；驱动泵能抽取或补充容纳腔中的空气，以调整可变拉伸刚度弹簧的拉伸刚度。本发明提供的技术方案能够解决现有的仿生机器鱼无法在线调控主动刚度的问题。
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公开(公告)号：CN113501868A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110906689.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: C07K14/415 , C12N15/29 , C12N15/113 , C12N15/82 , C12N5/10 , A01H5/00 , A01H6/20
Abstract: 本发明公开了SPL7在调控植物抗旱能力中的应用。本发明发现，SPL7基因敲除或失活会延缓植物的生长，但会提高其抗旱能力。研究表明，SPL7通过识别启动子上的GTAC基序来抑制ABA生物合成通路中NCED3和AAO3的转录，从而减少ABA的积累，平衡植物的生长和抗逆能力。即在陆生植物中存在一种潜在的保守机制，通过SPL7‑GTAC调节ABA的新生物合成，从而平衡植物的生长和胁迫响应，从而为人工调控植物的抗旱能力提供了一种方法。
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