公开(公告)号：CN106835260A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710028076.9

申请日：2017-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B1/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/02 ,  C30B29/64

CPC classification number: C30B1/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备。

公开(公告)号：CN112760714B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201911065167.5

申请日：2019-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王金焕 ,  徐小志

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为 / 。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。

公开(公告)号：CN113092482A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201911338592.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  徐小志 ,  邹定鑫 ,  刘灿

IPC: G01N21/88 ,  G01N1/44

Abstract: 本发明提供了一种无损探测石墨烯点缺陷方法，所述方法将石墨烯利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，高温条件下含氧氛围中缓慢烘烤，使得缺陷下的铜被氧化，从而在光学显微镜下即可看到不同衬度。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观测到石墨烯中的点缺陷。

公开(公告)号：CN113092463A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201911342818.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  徐小志 ,  邹定鑫 ,  刘灿

IPC: G01N21/84 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种探测二维材料晶界的方法。所述方法将二维材料利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，高温条件下含氧氛围中缓慢加热，使得缺陷下的铜被氧化，从而在光学显微镜下即可看到不同衬度。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观测到二维材料的晶界。

公开(公告)号：CN112760714A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911065167.5

申请日：2019-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王金焕 ,  徐小志

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为 / 。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。

公开(公告)号：CN109837523B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201810493954.9

申请日：2018-05-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘灿 ,  徐小志 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。

公开(公告)号：CN107740118B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201710961693.4

申请日：2017-10-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23F15/00

Abstract: 本发明提供了一种晶面依赖的石墨烯防护金属腐蚀的方法。所述方法将石墨烯利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，利用石墨烯的完全不可穿透性以及与金属衬底之间的相互作用，对自然氧化、热水蒸汽熏以及海水环境下的金属进行防护，保护金属不被腐蚀。本发明提出的方法，解决了金属氧化腐蚀的问题，通过非常简单的方法，实现了石墨烯对金属的防护。

公开(公告)号：CN106835260B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710028076.9

申请日：2017-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B1/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/02 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备。

公开(公告)号：CN105112998B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510561590.X

申请日：2015-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  刘开辉

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯中常用单晶作为基底、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯样品。

公开(公告)号：CN110295357B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810233438.2

申请日：2018-03-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴慕鸿 ,  张志斌 ,  徐小志 ,  张智宏 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23C14/06 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。