公开(公告)号：CN118538671A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410787821.8

申请日：2024-06-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：提供一衬底；衬底包括在第一方向上依次堆叠设置的第一半导体材料层、牺牲层和第二半导体材料层；刻蚀第二半导体材料层和牺牲层，以形成鳍状结构和第一牺牲结构；鳍状结构的宽度在靠近第一半导体材料层的方向上逐渐加宽；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除第一半导体材料层；在形成第一晶体管之前，或在倒片并去除第一半导体材料层之后，刻蚀第一牺牲结构的至少一部分；基于刻蚀后的第一牺牲结构，刻蚀第二鳍状结构的一部分；刻蚀后的第二鳍状结构的宽度在靠近第一鳍状结构的方向上逐渐加宽；基于刻蚀后的第二鳍状结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118352341A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298110.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118352299A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298364.6

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；其中，第一源漏结构的高度大于第一有源结构的高度，或，第二源漏结构的高度大于第二有源结构的高度；位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构之间具有中间隔离结构，中间隔离结构内部具有空气间隙，中间隔离结构用于隔离位于第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二栅极区域中的第二有源结构。通过本申请，可以有效降低第一栅极结构和第二栅极结构之间的耦合效应。

公开(公告)号：CN118315336A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410353312.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卜伟海 ,  张丽杰 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向排布的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；其中，第一晶体管包括：第一源漏结构、第一源漏金属和第一栅极结构；第一源漏金属与第一源漏结构连通；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、覆盖第二有源结构的第二层间介质层，以及与第二有源结构沿第二方向交替间隔排布的第二栅极结构；光刻第二层间介质层和第二栅极结构，直至分别形成源漏互连凹槽和栅极互连凹槽；在源漏互连凹槽内形成源漏互连结构以及在栅极互连凹槽内形成栅极互连结构，以形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN117936462A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410177681.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：提供一衬底；在顶部衬底的第一区域中沉积第一半导体材料，以形成相对设置的心轴结构；在心轴结构的内侧沉积第二半导体材料，以形成相对设置的侧墙结构；以心轴结构和侧墙结构为掩模，刻蚀衬底，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介质材料，以形成介质叉板结构；去除心轴结构，并以侧墙结构和介质叉板结构为掩模，依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成正面有源结构、第一中间牺牲层和背面有源结构；基于正面有源结构和背面有源结构，形成正面晶体管和背面晶体管。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN117832173A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311740316.X

申请日：2023-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。