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公开(公告)号：CN116755638B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311036241.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 北京大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明提供了一种低资源消耗的面向忆阻器耐久性的磨损均衡方法，属于集成电路技术领域。本发明是将被频繁写入数据的存储空间块与未被频繁写入数据的存储空间块进行数据交换，使数据写入在整个存储空间上尽可能均匀，有助于缓解频繁读写带来的器件损坏的问题，提高RRAM阵列寿命。同时，该发明在不改变存储器整体架构的情况下，尽可能少的花费额外存储资源和算力，保证较低的面积与能量开销，具有广阔的应用前景。
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