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公开(公告)号：CN115764541A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211315091.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于光学相控阵阵列的量子级联激光器，所述量子级联激光器包括：基片，在所述基片上集成种子激光器和光学相控阵阵列，所述光学相控阵阵列，将所述种子激光器发出的激光分成多路激光；所述光学相控阵阵列的前端设置可调相光放大器，对多路激光单独进行调相。本发明能够通过阵列结构放大种子激光器输出功率，并且改善光束质量。
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公开(公告)号：CN115641494A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211315084.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06V10/82 , G06V30/19 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供了一种基于微环调制器的神经网络图像处理系统，包括：阵列的多个激光器，以及多个全通型微环，每个激光器连接的每个全通型微环的输入端，其中，通过对每个所述全通型微环施加恒定电压，使输出的光强值与待处理图像的像素值成正比；每个全通型微环的输出端通过波分复用器连接至分插复用型微环的输入端，分插复用微环的输出端连接至平衡探测器，将分插复用微环输出的光信号转换成电信号并进行乘法运算，其中，通过对分插复用微环施加恒定电压，使分插复用微环的输入信号的光强值与输出信号的光强值成对应比值，比值为卷积核的参数值；平衡探测器连接至跨阻放大器。本发明极大的提高了图像处理过程中的运算速度。
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公开(公告)号：CN115632078A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211300933.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法，包括如下步骤：步骤1、对GaSb(100)衬底进行除气；步骤2、对GaSb(100)衬底进行脱氧处理；步骤3、在465℃的温度下，在GaSb(100)衬底上生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；步骤4、按照20℃/min降温速率降温至385℃，并在该温度下生长100个周期的InAs/InAsxSb1‑x超晶格，其中，In源炉温度为838.3℃，As源炉温度为380℃，Sb源炉温度为620℃，As与In的五三束流比为6，Sb与In的五三束流比为3.7。本发明通过分子束外延(MBE)的方法，实现了在GaSb衬底上生长高质量的InAs/InAsxSb1‑xⅡ类超晶格结构，超晶格结构由100个周期组成，解决了超晶格应变不平衡的问题。
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公开(公告)号：CN115939236B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211315089.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs/7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs/7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAs/InAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAs/InAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
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公开(公告)号：CN117748297B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568948.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种长波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层；有源层包含多个级联周期，单个级联周期包括势垒层、第一深阱层、三个晶格匹配的浅阱层、三个复合阱层和第二深阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和AlAs高势垒层；三个晶格匹配的浅阱层包括第一浅阱层、第二浅阱层和第三浅阱层；三个复合阱层包括第一复合阱层、第二复合阱层和第三复合阱层。本发明引用单周期有源区设计中引入特定复合比的复合阶梯阱来实现不同波长激射的设计思想，结合晶格匹配和应变平衡体系的优点，在势垒嵌套AlAs高势垒，设计出较了高增益的能带结构，在能带方面提升长波红外量子级联激光器输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747687B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568685.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。
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公开(公告)号：CN115732594B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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公开(公告)号：CN115755278A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211308299.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有捕获和运输功能的悬挂芯光纤光镊系统，包括光纤光源，与所述光纤光源依次连接的单模光纤和悬挂芯探针光纤，其中，所述单模光纤和悬挂芯探针光纤错位熔接，并且所述单模光纤和悬挂芯探针光纤的熔接位置，置于第一毛细管内，所述第一毛细管通过第二毛细管连接微机械泵；其中，所述悬挂芯探针光纤内具有一个微通道，并且在所述悬挂芯探针光纤内至少包括一根第一光纤芯，所述第一光纤芯对准所述单模光纤的第二光纤芯。本发明可以实现目标微粒的捕获与输运，在生物医学领域的单细胞动态操纵和精确诊断疾病方向有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN115732594A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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公开(公告)号：CN115657213A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211308251.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于悬挂芯光纤的光纤光镊探针，包括：悬挂芯探针光纤，所述悬挂芯探针光纤的一端连接光纤光源，另一端形成一个尖端结构；所述悬挂芯探针光纤内具有一个微通道，并且在所述悬挂芯探针光纤内至少包括一根光纤芯；所述尖端结构具有一个平端面，所述微通道和所述光纤芯延伸至所述平端面，当所述光纤光源发出的出射光经所述悬挂芯探针光纤，在所述尖端结构的平端面汇聚形成光学势阱。本发明悬挂芯探针光纤保留了微通道，利用悬挂芯探针光纤的光纤芯与微通道集成的特点同时实现对微粒的捕获与输运两种功能。
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