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公开(公告)号：CN112678765A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011444277.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于浓硼掺杂的MEMS感压薄膜的制备方法，通过采用浓硼掺杂技术中自停止腐蚀工艺可精准控制薄膜厚度，可制备微米级薄膜，从而提高电容测量重复性，有效保证真空计实际生产制备；同时采用硼硅玻璃去除方案，能够有效去除薄膜表面生成的硼硅玻璃，消除硼硅玻璃造成的杂生电容影响，同时，可有力保证薄膜与玻璃的后续键合工艺品质。
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