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公开(公告)号：CN115038825B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202080095445.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
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公开(公告)号：CN117286470A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241949.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法，其包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及，在所述成膜部对所述雾进行热处理，从而在基体上进行成膜的工序，当将所述载气的流量设为Q(L/分)、将所述载气的温度设为T(℃)时，以7＜T+Q＜67的方式对所述载气的流量和所述载气的温度进行控制。由此可以提供一种成膜速度优异的成膜方法。
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公开(公告)号：CN110121788B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115838922A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211120925.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46
Abstract: 本发明是一种成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜方法在基板上通过喷雾CVD法来使以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜成膜，其包括下述工序：对基板进行加热；对供给包含原料溶液的喷雾的喷嘴进行加热；以及以经加热的喷嘴的喷出方向相对于基板的表面成为垂直方向的方式来将喷雾供给至经加热的基板上，以进行结晶性氧化物膜的成膜，在对喷嘴进行加热的工序中，在基板不存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行喷嘴的加热，在进行结晶性氧化物膜的成膜的工序中，在基板存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行成膜。由此，提供一种结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好的以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜。
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公开(公告)号：CN109844960B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201680089834.1
申请日：2016-10-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109392312B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780032752.8
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于廉价地提供高转换效率的太阳能电池。本发明的太阳能电池具备保护半导体基板(101)的钝化膜、在半导体基板的主面与半导体基板连接的第一副栅线电极(201)、与第一副栅线电极(201)交叉的第一主栅线电极(202)、和设置于第一副栅线电极(201)与第一主栅线电极(202)的交叉位置的中间层(203)，第一副栅线电极(201)和第一主栅线电极(202)经由中间层(203)相互电导通。
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公开(公告)号：CN113243043A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980082989.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种层叠体，其包含晶体基板与半导体膜，所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上，且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分，所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下，所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此，可提供一种层叠体，该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。
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公开(公告)号：CN110073499A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680090769.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08G73/10
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF-SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110073498A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680090602.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×1018atoms/cm3以上的n型区域，以覆盖p型区域与n型区域的方式配置第1保护膜，在第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，其特征是第1保护膜与第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成的太阳能电池。由此，提供便宜且光电变换效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109844961A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680090007.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
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