公开(公告)号：CN1542071A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。