公开(公告)号：CN117178655A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280000604.9

申请日：2022-03-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘凤娟 ,  张建业 ,  卢昱行 ,  孙宏达 ,  徐攀

IPC: H10K59/121

Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管和显示面板，属于显示技术领域。本公开提供的一种薄膜晶体管包括：基底和设置在基底上的有源层和栅电极；其中，有源层包括第一部分和第二部分，第二部分的导电率大于第一部分的导电率；栅电极在基底上的正投影覆盖第一部分在基底上的正投影，且栅电极在基底上的正投影与第二部分在基底上的正投影无重叠区域；第一部分包括多个第一子部分，任一第一子部分在有源层的走向上的两侧均与第二部分相连，其能够确保薄膜晶体管具有良好的特性均匀性和稳定性。

公开(公告)号：CN116799015A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310945823.0

申请日：2023-07-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 顾鹏飞 ,  卢昱行 ,  周丹丹 ,  刘凤娟

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12

Abstract: 本公开提供了一种阵列基板及制造方法、显示面板，涉及显示技术领域。该阵列基板包括驱动层，驱动层中：半导体层包括晶体管的有源部，有源部包括非导体化区，以及位于非导体化区两侧的第一导体区和第二导体区；栅金属层包括导电部，导电部的正投影至少覆盖非导体化区的正投影。本公开实施方式中，导电部的正投影覆盖非导体化区的正投影，从而在晶体管工作时，能够保证第一转接片在有源部上的正投影与导电部在有源部上的正投影之间的区域，以及第二转接片在有源部上的正投影与导电部在有源部上的正投影之间的区域均为导体化结构，以避免第一转接片与导电部之间，以及避免第二转接片与导电部之间出现大电阻的情况，保证晶体管工作时的性能。

公开(公告)号：CN116547817A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180003781.8

申请日：2021-12-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 顾鹏飞 ,  黄杰 ,  李菲菲 ,  卢昱行 ,  黄睿 ,  刘凤娟

IPC: H01L31/032

Abstract: 一种光电传感器和基板，该光电传感器包括光电转换层(103)、第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)设置在光电转换层(103)的一侧，第二电极(102)设置在光电转换层(103)的一侧，且与第一电极(101)间隔；其中，第一电极(101)和第二电极(102)配置为驱动光电转换层(103)，在垂直于光电转换层(103)的表面的方向上，第一电极(101)和第二电极(102)分别与光电转换层(103)重叠，光电转换层(103)包括氧化物半导体材料。在上述光电传感器中，光电转换层采用氧化物半导体材料，具有较高的信号选择比；另外，光电传感器的制作过程与具有基于氧化物半导体作为有源层的TFT的制作过程相兼容，因此可以简化光电传感器用于基板时的制备工艺。

公开(公告)号：CN116314209A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310287786.9

申请日：2023-03-22

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙宏达 ,  刘凤娟 ,  王东方 ,  卢昱行

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12

Abstract: 本公开实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置。基板包括依次设置在衬底上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二金属层，第一金属层包括信号线，第二绝缘层设置有第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，第一子孔贯穿第二绝缘层而暴露有源层的部分表面，第二子孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层而暴露信号线的部分表面，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与有源层的暴露表面的一部分搭接连接，第一极通过第二子孔与信号线连接。本公开的技术方案，减少了基板的膜层数量，降低了成本，实现了在较小区域内三个膜层的搭接连接，有利于减小TFT的面积，增加基板的空间利用率。

公开(公告)号：CN115810635A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211633982.9

申请日：2022-12-19

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙宏达 ,  刘凤娟 ,  王东方 ,  卢昱行 ,  刘威 ,  王浩然

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/131

Abstract: 本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括：基底；有源层，设置在基底的一侧，包括半导体区和导体化区；栅绝缘层，设置在有源层远离基底的一侧，栅绝缘层具有贯穿栅绝缘层的第一过孔，第一过孔在基底上的正投影与导体化区在基底上的正投影有交叠；第一金属层，设置在栅绝缘层远离基底的一侧，第一金属层的部分结构通过第一过孔与导体化区连接，第一金属层具有贯穿第一金属层的第一通孔，第一通孔在基底上的正投影位于有源层在基底上的正投影内，并与第一过孔在基底上的正投影无交叠。本申请实施例解决了现有技术存在有源层发生干刻过量，以致刻穿，造成有源层的导电作用被严重损害，影响显示基板信赖性的技术问题。

公开(公告)号：CN114709247A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210333974.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘威 ,  卢昱行 ,  宁策 ,  王浩然 ,  刘凤娟

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种显示基板及显示装置，该显示基板包括呈阵列分布的像素区域，像素区域分为沿第一方向排列的透明区和遮光区，遮光区包括多个子像素单元；显示基板包括衬底基板，每个遮光区内对应各子像素单元的像素驱动电路和位于像素驱动电路远离衬底基板一侧的发光单元，发光单元与像素驱动电路电连接；像素驱动电路包括至少两个薄膜晶体管，像素驱动电路中的薄膜晶体管沿垂直于衬底基板的方向层叠设置，且至少两个薄膜晶体管的有源层在衬底基板上的正投影重叠。该显示基板能够增大透明区的面积，进而提高了透明显示的透过率。

公开(公告)号：CN219642841U

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202320645336.8

申请日：2023-03-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王东方 ,  孙宏达 ,  刘凤娟 ,  卢昱行 ,  宁策

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35

Abstract: 一种显示背板、虚拟显示装置，显示背板包括：衬底；第一电极，设置在所述衬底的一侧；绝缘层，设置在所述第一电极远离所述衬底一侧；第一过孔，贯穿所述绝缘层，所述第一过孔延伸至所述第一电极的表面，所述第一过孔包括侧壁；第二电极，设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述第一过孔的一侧，所述第二电极侧壁的至少部分与所述第一过孔的部分侧壁位于同一平面。

公开(公告)号：CN215644387U

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202121413055.7

申请日：2021-06-24

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘凤娟 ,  王东方 ,  刘威 ,  卢昱行 ,  孙宏达 ,  宁策 ,  袁广才

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备过程中需要较多数量的掩膜板的问题。本公开的薄膜晶体管包括：基底、位于基底上的有源层、位于有源层背离基底一侧的栅极绝缘层、及位于栅极绝缘层背离基底一侧的第一电极、栅极和第二电极；第一电极通过贯穿栅极绝缘层的第一过孔与有源层的一端连接；第二电极通过贯穿栅极绝缘层的第二过孔与有源层的另一端连接；栅极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影至少部分重叠。