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公开(公告)号：CN104245883A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 独立行政法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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公开(公告)号：CN101257079A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β－Ga2O3基板、在所述β－Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β－Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β－Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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公开(公告)号：CN107180906B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710400618.0
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体构件以及使用该荧光体构件的发光装置。作为一实施方式，提供一种平板状的荧光体构件，激励光的波长为460nm、温度从25℃上升到100℃时的荧光强度的降低不到3％，包括以YAG晶体为母晶体的多个颗粒状的单晶，所述YAG晶体具有用Y3‑x‑yGdxCeyAl5O12‑w表示的组分，其中，0.03≤x≤0.2，0.003≤y≤0.2，‑0.2≤w≤0.2。
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公开(公告)号：CN110838540A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911114216.X
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供发出以往没有的颜色的荧光的发光装置。一种单晶荧光体由蓝色系的光激励的发光装置，包含：发光元件，其出射峰值波长为430～480nm的蓝色系的光；及单晶荧光体，其具有用组分式(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，且激励光的峰值波长为450nm和450nm±10nm、温度为25℃时，内部量子效率为91％以上、以及发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4377x+0.7504的关系，被单晶荧光体进行波长变换后的光在515～546nm的波长具有发光峰值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110835534A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911114204.7
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供发出以往没有的颜色的荧光的、单晶荧光体由蓝色系的光激励的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体由蓝色系的光激励的单晶荧光体，其具有透明构件和分散在上述透明构件中的颗粒状的单晶荧光体，上述单晶荧光体具有用组分式(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，并且当激励光的峰值波长为450nm和450nm±10nm、温度为25℃时，内部量子效率为91％以上、以及发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4377x+0.7504的关系。
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公开(公告)号：CN105684170B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201480042506.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 株式会社光波 , 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供一种利用了远程荧光体的发光装置，该发光装置适于如投影仪这样的需要高亮度且大光量的照明器具，使用时发光强度的下降、发光色的变化小。作为一实施方式，提供发光装置(10)，该发光装置(10)具有：LED元件(12)；侧壁(13)，其包围LED元件(12)；荧光体层(15)，其通过粘合层(14)固定于侧壁(13)，位于LED元件(12)的上方；以及金属衬垫(11)，其作为散热部件。侧壁(13)具有：绝缘性的基体(13b)，其包围LED元件(12)；以及金属层(13a)，其形成于基体(13b)的LED元件(12)侧的侧面并与金属衬垫(11)和粘合层(14)接触。粘合层(14)是由含有粒子的树脂构成且粒子的导热率比树脂的导热率高的树脂层，或者是由焊料构成的层。
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公开(公告)号：CN105658764A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057864.5
申请日：2014-10-20
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/7774 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 作为目的之一，提供即使在高温条件下也发挥优异特性的单晶荧光体以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.0002≤z≤0.0067，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶荧光体。
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公开(公告)号：CN100394549C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200480022689.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β-Ga2O3单晶组成的β-Ga2O3衬底(1)、通过氮化β-Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。
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公开(公告)号：CN1833310A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022689.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β－Ga2O3单晶组成的β－Ga2O3衬底(1)、通过氮化β－Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。
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