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公开(公告)号：CN101410557A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780008791.0
申请日：2007-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , H01L21/208 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101395305A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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公开(公告)号：CN101030614A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710003186.6
申请日：2007-02-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007
Abstract: 一种具有发光元件部分的发光元件，所述发光元件部分有Ⅲ族氮化物基化合物半导体形成并具有发光层。在发光元件部分生长在衬底上之后，通过湿腐蚀剥离衬底来形成发光元件部分。发光元件部分具有剥离表面，其如同发光元件部分在衬底上生长时所形成的那样保持基本完好无损。
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公开(公告)号：CN1958886A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610137998.5
申请日：2006-11-01
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , C30B9/00 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。
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公开(公告)号：CN1941408A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610127080.2
申请日：2006-09-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L33/00 , H01L21/20
Abstract: 一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式AlxGa1－xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式AlyGa1－yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃－1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃－800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5－20nm的厚度。
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