在太赫兹波段具有宽带高吸收率涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN103191857A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310119892.2

    申请日:2013-04-08

    Inventor: 邓玉强 孙青 于靖

    Abstract: 一种在太赫兹波段具有宽带高吸收率涂层的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取碳化硅颗粒和黑漆涂料;步骤2:将碳化硅颗粒和黑漆涂料混合;步骤3:将混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料喷涂在基底材料的表面;步骤4:将喷涂有混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料的基底材料晾干或烘干,完成制备。本发明具有制备简单、吸收率高、吸收带宽宽的涂层材料,通过混合碳化硅颗粒和黑漆涂层,实现了频率大于0.05THz(对应波长小于6mm)的电磁辐射的宽波段全吸收,该涂层可用于太赫兹波段辐射强度的绝对测量和目标在太赫兹波段的隐身。

    可调式激光衰减器
    23.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206489324U

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201720141051.5

    申请日:2017-02-16

    Abstract: 本实用新型提供的是可调式激光衰减器。在底座上通过转轴相隔安装有第一转轮和第二转轮,在每个转轮上设置有6个衰减片安装孔,在每个安装孔固定有衰减片,包括第一衰减片和第二衰减片。每个转轮上装有6个衰减片孔,其中1个不安装衰减片,为通孔,另外5个衰减片为具有不同透光率的衰减片,所述衰减片具有梯度透光率。由于本实用新型在前后两个转轮上安放了激光衰减片,通过转动转轴,调节衰减系数。具有调节次数多,容易调节,可调范围宽的优点。适宜作为激光衰减的装置使用。

    一种自混频太赫兹探测器响应度参数的标定装置

    公开(公告)号:CN206192502U

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201621291008.9

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 本实用新型提供了一种单像元场效应自混频太赫兹探测器响应度参数的标定装置。本实用新型至少包括太赫兹源模块、探测器模块、平移台和夹具装置、光学镜片组、数据采集处理模块和显示模块等6部分。由于传统标准光源定标方法自身不确定度较高,且在定标过程中易引入一些无法准确测量的不确定度因素等误差,本实用新型的单像元场效应自混频太赫兹探测器响应度参数的标定装置使用标准探测器对比的方式,可以对单像元太赫兹探测器实现精确定标,降低量值传递的不确定度。并通过在波路中加入监视探测器,消除波源稳定性对于传递结果的影响,使标定结果更准确。

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