一种卫星差异电位的测量装置

    公开(公告)号:CN105717377B

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201410727353.1

    申请日:2014-12-03

    Abstract: 一种卫星差异电位测量装置,包括:准直器、加速栅网、传感器、电子学部分及机壳,其中:加速栅网包括两层,这两层加速栅网分别被加载不同的高压从而在二层加速栅网所构成的空腔内形成强电场,空间电子进入加速栅网后被加速;传感器包括至少一片半导体传感器,当空间电子进入该半导体传感器时由于损失能量而在其两侧电极激起电信号脉冲;电子学部分用于对传感器提供的电信号进行处理,以提供反映空间电子在传感器内沉积能量的信号,并分析得到空间电子的能量,测量进入本发明测量装置的空间电子的能谱,并依据测量到的空间电子的能谱的峰值所在的能量点,得到卫星差异电位值。

    一种分布式空间高能质子的多方向探测装置

    公开(公告)号:CN105676255B

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201410675829.1

    申请日:2014-11-21

    Abstract: 一种基于多个卫星的分布式的多方向的高能质子探测装置,包括:卫星数量匹配的多个子探测装置,每个子探测装置包含方向传感器、电子学部件及机壳部分,其中:方向传感器包括:不少于一片半导体传感器,当空间粒子进入该半导体传感器时由于损失能量而在其两侧电极激起电信号脉冲;电子学部件,用于对方向传感器提供的电信号进行处理,以提供反映空间粒子在半导体传感器内沉积能量的信号;且每个方向传感器所包含的半导体传感器的法向在卫星经过同一个位置时处于同一个平面,每个传感器的法向在经过同一位置时不重叠,并且至少其中的一个法向指向朝天面。

    一种分布式卫星多方向辐射剂量率测量装置

    公开(公告)号:CN105629287B

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201410593628.7

    申请日:2014-10-29

    Abstract: 一种分布式卫星多方向辐射剂量率测量装置,包括:与卫星数量匹配的多个子探测装置,每个子探测装置包含方向传感器、电子学部件及机壳部分,方向传感器包括:不少于一片半导体传感器,当空间粒子进入该半导体传感器时由于损失能量而在其两侧电极激起电信号脉冲;电子学部件,用于对方向传感器提供的电信号进行处理,以提供反映空间粒子辐射剂量率的信号;且每个方向传感器所包含的半导体传感器的法向在卫星经过同一个位置时处于同一个平面,每个传感器的法向在经过同一位置不重叠,并且至少其中的一个法向指向朝天面。

    一种空间中性原子成像装置

    公开(公告)号:CN105277996B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201410347755.9

    申请日:2014-07-21

    Abstract: 本发明提供一种空间中性原子成像装置,包括若干个沿圆周向分布的成像单元,相邻的成像单元之间的夹角相同;该成像单元包括:准直器、偏转电极板、半导体传感器和编码调制板,所述的准直器、编码调制板、偏转电极板及半导体传感器由上至下依次连接,所述的半导体传感器和编码调制板平行设置,所述的偏转电极板成对平行排列于半导体传感器和编码调制板之间,且该偏转电极板与编码调制板垂直。利用该装置在提高成像空间分辨率和时间分辨率的需求下采用栅网对空间各个方向的粒子流强度进行调制,而后在明确调制栅网、偏转电极及传感器组合结构的参数下,与基于机械分隔测量法的中性原子成像仪相同重量和体积下,获得更好的空间分辨率和时间分辨率。

    一种空间中性原子探测仪器的定标系统及方法

    公开(公告)号:CN105764228A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201410806257.6

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明提供了一种空间能量中性原子探测仪器定标系统及方法,所述系统包含:粒子检测仪、粒子束流产生装置、真空罐和转台;其中,转台位于真空罐中,粒子检测仪放置在转台上,粒子束流产生装置位于真空罐的外部侧方,且粒子束流产生装置的轴线与真空罐轴线垂直;所述粒子束流产生装置进一步包含:运输管道、注氢设备、加电的静电偏转板;用于产生输入真空罐的中性原子;所述的粒子检测仪用于初步探测中性原子束流的能量和通量参数;所述粒子检测仪得到的粒子能量和通量参数值与待定标测试的中性原子探测仪得到的粒子能量和通量参数值进行比较,进而修正中性原子探测仪指标,完成中性原子探测仪的定标。

    一种半导体传感器窗厚测量方法及装置

    公开(公告)号:CN105758344A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201410802217.4

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明提供了一种半导体传感器窗厚测量方法及装置,所述方法包括:步骤101,依据半导体传感器窗厚理论值估算不同离子穿透传感器窗和灵敏区所需要的能量;步骤102,依据得到的不同离子穿透半导体窗和灵敏区所需的能量值统计各种离子穿透传感器窗和灵敏区的情况,并依据使离子穿透传感器窗同时又不穿透灵敏区的原则,从所有离子中选定若干离子种类和能量;步骤103,依据选定的离子种类和能量值设置离子枪,即使离子抢射出的离子种类和能量与选定的离子的种类和能量值相同,并将离子抢射出的离子传输至半导体传感器处,进而测试半导体传感器的窗厚。本发明的技术方案可以为半导体窗开展测量厚度,从而为仪器研制的质量保证提供保障。

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