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公开(公告)号：CN103346798B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310220522.8
申请日：2013-06-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03M7/30
Abstract: 本发明公开了一种低于Nyquist频率的信号采集方法，首先针对输入信号选择合适的变换基矩阵，用该变换基矩阵对信号进行稀疏表示以确定信号的稀疏度k，然后由稀疏度计算出压缩采样的采样次数M，然后分M个信道分别对信号以fNYQ/M进行采样，接着对每个信道的采样值进行积分，即得到M个测量值，然后重构端通过求解优化问题重构出原始信号。本发明以压缩感知理论为基础，能够以远低于Nyquist频率的频率对稀疏信号或者可稀疏表示的信号进行压缩采样，突破了经典的Nyquist采样定理对采样频率的限制，同时该方法实施简单，降低了数据采集、存储、传输以及处理的压力。
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公开(公告)号：CN103072942B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310017106.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀，将衬底表面生长的Ni层刻掉，只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列；将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中，通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来；将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化，得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。本发明简单实用，掺杂后的传感器对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都将有很大的改善。
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公开(公告)号：CN103532566A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310481362.2
申请日：2013-10-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03M7/30
Abstract: 本发明公开了一种基于块对角阵观测矩阵构造的信号压缩传感方法，该方法首先由线性反馈移位寄存器得到周期为Q＝2q-1的伪随机序列，q为移位寄存器的级数，任选其中长度为Q的一个序列记为L；然后构造一个M×N的全0矩阵Φ，其中满足N＝C×M，C为大于等于1的整数，且N＝Q+1；接着将矩阵Φ看成C个M×M的方阵，每一个方阵的主对角线上元素依次为L的元素值，由此的矩阵Φ即为观测矩阵；然后利用获得的观测矩阵Φ，将原始高维信号x投影到低维空间y，再由y重构出原始信号x，实现信号的压缩传感。本发明具有重构效果好，硬件实施简单的优点。
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公开(公告)号：CN119907619A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411994554.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种磁隧道结和磁存储器，该磁隧道结包括依次层叠设置的自旋轨道耦合层、自由层、势垒层、参考层和钉扎层；还包括至少一层磁性层，至少一层磁性层包括第一自旋极化增强层和/或第二自旋极化增强层，第一自旋极化增强层位于自旋轨道耦合层与自由层之间，第一自旋极化增强层的磁化方向与自由层的磁化方向相同；第二自旋极化增强层位于参考层与钉扎层之间，第二自旋极化增强层的磁化方向与参考层的磁化方向相同。本申请提供的磁隧道结隧穿磁电阻率得以提高。
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公开(公告)号：CN119506802A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411622807.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种铁电薄膜的制备方法和铁电电容器，可以应用于半导体技术领域。该铁电薄膜的制备方法包括：在衬底上形成第一电极层；利用Hf靶材和Y2O3靶材，通过磁控溅射在第一电极层上形成铁电薄膜层，其中，铁电薄膜层中包括化合物和游离态的Hf原子，化合物是基于Hf与Y2O3之间的共价键形成的；在铁电薄膜层上形成第二电极层；以及对铁电薄膜层进行退火，以诱导铁电薄膜层的铁电性，形成具有R3相的目标铁电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119351965A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411455486.8
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提出了一种铁电薄膜的制备方法，包括：提供第一应力层；通过磁控溅射工艺，在第一应力层上沉积铪单质和锆单质，形成铁电合金层；对铁电合金层进行氧化，利用氧化过程中释放出的热量在铁电合金层中产生晶体缺陷和晶相转变应力，形成铁电氧化层；对铁电氧化层进行图形化处理，在铁电氧化层的图形化处理区域沉积应力材料，形成第二应力层；对第一应力层、铁电合金层和第二应力层形成的复合层进行快速热退火处理，促使铁电合金层的晶相转变为铁电正交相，得到铁电薄膜。本公开还提出了一种前述制备方法在微电子器件中的应用。
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公开(公告)号：CN119136643A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411179057.2
申请日：2024-08-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10N50/20 , H10N50/80 , H10N50/01 , H10B61/00 , G11C11/155
Abstract: 本公开提供了一种自旋逻辑器件、自旋逻辑存储器件及制备方法。自旋逻辑器件包括：氧化物层；多铁层，位于所述氧化物层上且与所述氧化物层之间形成作为传输层的二维电子气，以自旋波的形式传递自旋流；自旋轨道耦合层，包括第一自旋轨道耦合单元和第二自旋轨道耦合单元，所述第一自旋轨道耦合单元和第二自旋轨道耦合单元互不连接，且对称分布于所述多铁层上；顶电极，包括分别连接于所述第一自旋轨道耦合单元的第一顶电极和连接于第二自旋轨道耦合单元的第二顶电极；以及底电极，包括分别连接于氧化物层两侧的第一底电极和第二底电极。
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公开(公告)号：CN118430605A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410369084.X
申请日：2024-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种铁电存储单元耐久性疲劳的恢复方法，该方法包括：在恢复周期内，向所述铁电电容的两侧极板施加双极性恢复脉冲，所述双极性恢复脉冲的脉冲幅值的绝对值大于写脉冲的脉冲幅值的绝对值，以使所述铁电电容中铁电介质层的极化强度得到提升。本公开在器件发生疲劳效应的基础上施加双极性恢复脉冲进行高电压刺激，通过大电压下的电荷注入，使铁电电容中铁电介质层的带电缺陷变为中性，极化值得以提高，实现铁电存储单元极化强度的恢复。与此同时，本公开实施例所提供的方法可以重复使用，在铁电存储器使用过程中多次进行疲劳/恢复操作，使铁电器件耐久性得以恢复。
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公开(公告)号：CN118413996A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311273481.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B51/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种耐久性铪基铁电器件及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述底电极和所述功能层之间和/或所述功能层和所述顶电极之间设置有界面层，所述界面层为通过磁控溅射或原子层沉积技术生长的TiOx薄膜。本发明在不改变工艺条件下，TiOx界面插层可以在退火过程中预结晶，而TiOx结晶层会进一步辅助铁电功能层结晶，因此极化值不仅可以得到保证，而且还会降低界面处氧空位的缺陷数量，由此在耐久性测试过程中，可以减少氧空位的产生，使器件的耐久性得到显著提升。
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公开(公告)号：CN116744691A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310802656.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本说明书实施例提供了一种新型铪基铁电存储器及其制备方法，存储器包括：顶电极、底电极、两层铁电层和一层中间层；所述中间层设置在所述两层铁电层之间；所述中间层的原子层沉积循环比率与所述铁电层不同，且所述中间层的材料与所述铁电层相同并具备铁电性；所述两层铁电层和所述中间层设置在所述顶电极和所述底电极之间。本申请提供的技术方案用以解决现有技术中多次重复读写过程会使得存储器出现不可避免的耐久性的问题。
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