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公开(公告)号：CN102487104A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574100.7
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN102446721A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110412636.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/266 , G06F17/50
Abstract: 本发明公开多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法包括用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子，根据所需掺杂浓度分布及采用能量组合个数，确定选用单能离子注入的关系因子，确定能量组合；利用经验因子和经验公式的反推方法确定能量组合中单个能量的剂量值，并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布；将箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，消除箱型注入分布前拖尾，形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布；将各掺杂段箱型掺杂浓度分布，去除掩蔽牺牲层，通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布，通过微调各掺杂段台阶处剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。
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公开(公告)号：CN102297843A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010217202.3
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法。该系统包括半导体激光器光源、输入光纤、光纤微动架、微纳光波导倏逝波光传感器、输出光纤、光纤微动架和光电二极管。该方法包括：首先，在待测溶液中加入显色试剂，该显色试剂与待测溶液中的正磷酸根离子反应形成络合物；然后，选择该络合物光吸收谱峰值波长作为探测光波长，获得光传感测试系统的标准光响应曲线；最后，测量待测溶液的光信号能量变化，将该光信号能量变化与该标准光响应曲线进行比对，得到待测溶液的总磷含量。
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公开(公告)号：CN102252981A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110106878.X
申请日：2011-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明涉及光传感技术领域，具体涉及一种光传感总磷检测系统。所述检测系统，包括底板及集成于底板上的激光器光源、光传感单元、光电探测器和数显模块，所述激光器光源通过输入光纤与所述光传感单元连接，所述光传感单元通过输出光纤与所述光电探测器连接，所述光电探测器通过电连接线与所述数显模块连接。本发明还提供一种光传感总磷检测方法。本发明基于光纤传感原理，其抗干扰能力强，可以快速、准确的对总磷进行检测，具有微型化和集成化的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102162879A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110101140.4
申请日：2011-04-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/32
Abstract: 本发明公开了一种具有可插拔结构的透镜光纤、透镜光纤阵列及其制备方法。其中，具有可插拔结构的透镜光纤包括微透镜、平头光纤；所述微透镜与所述平头光纤通过所述微透镜上的定位通孔活动连接。制作具有可插拔结构的透镜光纤的方法包括：制备带有定位通孔的微透镜；根据所述带有定位通孔的微透镜制备所述透镜光纤。具有可插拔结构的透镜光纤阵列包括：多个光纤构成的光纤排和阵列微透镜。制作具有可插拔结构的透镜光纤阵列的方法包括：制备带有构成阵列的定位通孔的微透镜；根据所述带有定位通孔的微透镜制备所述透镜光纤阵列。根据本发明提供的具有可插拔结构的透镜光纤，使用安全可靠，且灵活方便。
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公开(公告)号：CN102824902B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110163803.5
申请日：2011-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种TiO2光催化消解装置，属于环保技术领域。该装置包括涂覆有TiO2的石英玻璃片Ⅰ，在与石英玻璃片Ⅰ上涂覆的TiO2区域相对应的区域涂覆有TiO2的石英玻璃片Ⅱ，石英玻璃片Ⅰ上装设有密封圈，石英玻璃片Ⅱ与装设有密封圈的石英玻璃片Ⅰ相互契合，于相对应涂覆的TiO2区域之间形成流道。同时，本发明还公开了该装置的制备方法。该TiO2光催化消解装置能够提高接受紫外光强度，并且，能够增加废水与TiO2的接触面积，从而缩短光催化消解时间，提高光催化消解效率。
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公开(公告)号：CN102445809B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010504162.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体自准直效应的光模数转换器量化方法，该方法包括：在二维介质基板中填充一种填充介质，并在介质基板上引入正三角晶格的另一种填充介质，形成光子晶体自准直结构；依据该光子晶体自准直结构的透射谱确定透射率的低点和高点，判定为逻辑状态0或1，实现量化。利用本发明，有效地避免了光子晶体传统线缺陷产生的损耗，有利于实现器件的微型化、低损耗和集成化，并将推进光模数转换器在高速集成化信息技术中的实用化进程，对信息技术的发展具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN102487024A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574339.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法，属于硅基光电异质集成技术领域。该三维排气孔装置包括垂直排气孔和水平排气槽两部分组成，垂直排气孔呈圆柱形，深度穿透顶层硅直达埋氧层，它可以使键合过程中产生的H2O和H2气体通过疏松多孔的埋氧层被吸收和扩散。水平排气槽是与孔同心的有一个十字形浅槽，它作为水平的通气装置，起到收集气体，使其快速有效地通过排气孔被吸收和扩散。三维排气孔装置结构的采用大大降低键合界面上的因气泡产生的缺陷，可以有效提高晶片键合质量。
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公开(公告)号：CN102486550A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574449.0
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑模场从光纤端到硅微纳波导端的逐渐转变。该复合介质模斑转换器具有波长不敏感的性质，且其制作方法能够更好的与传统工艺相兼容，可重复制作性高。
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