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发明公开
表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法有权

公开(公告)号：CN103325900A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310193912.0

申请日：2013-05-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 于治国 , 赵丽霞 , 魏学成 , 王军喜 , 李晋闽

IPC: H01L33/06 , H01L33/00

Abstract: 本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。

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