公开(公告)号：CN114582698A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210202792.5

申请日：2022-03-02

Applicant: 中国科学院光电技术研究所

Inventor： 高国涵 ,  范斌 ,  罗倩 ,  吴湘 ,  邵俊铭 ,  雷柏平 ,  汪利华 ,  杜俊峰 ,  边疆 ,  杨虎

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法，该装置含有真空腔体顶盖、真空腔体底座、曲面导电匀气板、工艺气体通道、曲面器件、阳极样品台、真空排气通道和低温等离子体。真空腔体顶盖和真空腔体底座组成真空腔体，真空腔体顶盖和真空腔体底座接地，可打开装入样品也可闭合接入真空系统。曲面导电匀气板与真空腔体顶盖导电连接，工艺气体通过工艺气体通道进入真空腔体，通过真空排气通道离开真空腔体，曲面器件置于阳极样品台表面，在RF射频电源激励下形成低温等离子体弥漫于真空腔体内。本发明总体刻蚀速率在整个曲面上保持均一。