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公开(公告)号:CN111969346B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202010818362.7
申请日:2020-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种可转换通道的脑电极接口及脑电极后端连接装置,该脑电极接口包括弹簧探针焊接区域和接口焊盘结构;弹簧探针焊接区域设有焊接孔阵列,焊接孔阵列的焊接孔内均焊接有弹簧探针;焊接孔阵列的焊接孔均与接口焊盘结构连接。该脑电极接口用于高通道柔性脑电极器件与后端处理电路的连接,该脑电极接口可以与目前市售的脑电信号处理后端电路适配,利用成熟的后端芯片大大降低脑电极系统的研发成本,且前端采用弹簧探针的设计在与前端高通道数脑电极互联时具备灵活的转换性,可以自由变换采集不同脑电极阵列块的脑电信号,能够达到灵活转换采集信号通道的目的,从而可以实现上千通道脑电信号的可转换128道脑电信号的同时记录读取。
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公开(公告)号:CN112107307B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202010860818.6
申请日:2020-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的高通量植入式柔性神经电极的制备方法及其结构,方法包括制备衬底及在衬底上制备多个电极区组,每个电极区组含有第一电极区、第二电极区和第三电极区,每个电极区含有第一预设数量的电极,在衬底的多个待制备区域上制备第一绝缘层,在第一电极区上制备第一金属布线层,在第一金属布线层上制备第二绝缘层,在第二电极区上制备第二金属布线层,在第二绝缘层和第二金属布线层上制备第三绝缘层,在第三电极区上制备第三金属布线层,在第二绝缘层、第三绝缘层和第三金属布线层上制备第四绝缘层,沿释放面剥离衬底,得到单一神经电极单元,将第二预设数量的单一神经电极单元与电路板连接,得到高通量植入式柔性神经电极。
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公开(公告)号:CN112244850A
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN202011054647.4
申请日:2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/293
Abstract: 本申请公开了一种颅内深部电极记录器件及其制备方法、系统,其包括柔性衬底,位于柔性衬底上第一金属层,其依次包括后端布线部、金属互连部以及多个间隔设置的电极监测布线部;覆盖在第一金属层上的柔性封装层;位于柔性封装层上的第二金属层,其中的每个电极监测位点的一端通过柔性封装层开设的通孔与电极监测布线部中对应的金属接触点连接,另一端暴露在外以用于监测颅内生物信号。本申请的颅内深部电极记录器件实现了器件体积最小、灵活性最大化,且大大降低了器件的有效弯曲刚度和组织位移,显著提高了其长期生物相容性。
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公开(公告)号:CN112120695A
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN202011051114.0
申请日:2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/0478 , A61M31/00
Abstract: 本发明公开了一种结合给药通道的深部柔性脑电极及其制备方法,所述深部柔性脑电极包括柔性电极和与所述柔性电极表面平行设置的柔性给药通道,所述柔性电极的后端设有硅基底,所述柔性给药通道的一端固定于所述硅基底上,所述柔性电极的柔性植入部分平行附着于所述柔性给药通道上。本发明的柔性给药通道设于柔性电极上,组合后的深部柔性脑电极整体为柔性,具有良好的生物相容性和更长的工作寿命;柔性给药通道与柔性电极的组合操作较为便捷简单,组装成功率较高;本发明的深部柔性脑电极能够实现同时进行药物刺激和电生理记录。
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公开(公告)号:CN112107307A
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN202010860818.6
申请日:2020-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/04 , A61B5/0478
Abstract: 本申请实施例所公开的高通量植入式柔性神经电极的制备方法及其结构,方法包括制备衬底及在衬底上制备多个电极区组,每个电极区组含有第一电极区、第二电极区和第三电极区,每个电极区含有第一预设数量的电极,在衬底的多个待制备区域上制备第一绝缘层,在第一电极区上制备第一金属布线层,在第一金属布线层上制备第二绝缘层,在第二电极区上制备第二金属布线层,在第二绝缘层和第二金属布线层上制备第三绝缘层,在第三电极区上制备第三金属布线层,在第二绝缘层、第三绝缘层和第三金属布线层上制备第四绝缘层,沿释放面剥离衬底,得到单一神经电极单元,将第二预设数量的单一神经电极单元与电路板连接,得到高通量植入式柔性神经电极。
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公开(公告)号:CN111969346A
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN202010818362.7
申请日:2020-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种可转换通道的脑电极接口及脑电极后端连接装置,该脑电极接口包括弹簧探针焊接区域和接口焊盘结构;弹簧探针焊接区域设有焊接孔阵列,焊接孔阵列的焊接孔内均焊接有弹簧探针;焊接孔阵列的焊接孔均与接口焊盘结构连接。该脑电极接口用于高通道柔性脑电极器件与后端处理电路的连接,该脑电极接口可以与目前市售的脑电信号处理后端电路适配,利用成熟的后端芯片大大降低脑电极系统的研发成本,且前端采用弹簧探针的设计在与前端高通道数脑电极互联时具备灵活的转换性,可以自由变换采集不同脑电极阵列块的脑电信号,能够达到灵活转换采集信号通道的目的,从而可以实现上千通道脑电信号的可转换128道脑电信号的同时记录读取。
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公开(公告)号:CN105796056B
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201610118177.0
申请日:2016-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/00
Abstract: 本发明提供一种基于超材料的太赫兹医学成像仪及其制作方法,所述成像仪至少包括基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器,所述太赫兹探测器包括:具有空腔的硅片基底;形成于所述硅片基底的正面的第一介质层;悬浮在所述空腔上的第二介质层和超材料太赫兹谐振子阵列;形成于所述第一介质层表面且与所述超材料太赫兹谐振子阵列电连的引线结构。本发明主要通过基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器来探测从成像样品上反射或透射的太赫兹波,根据探测器的响应信号实现物体重构。该成像仪具有成像速度快,对生物体完全无害,分辨率高,能实现实时结构与功能成像,与现有的主流医学成像手段形成了良好的互补。
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公开(公告)号:CN105796056A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610118177.0
申请日:2016-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00
Abstract: 本发明提供一种基于超材料的太赫兹医学成像仪及其制作方法,所述成像仪至少包括基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器,所述太赫兹探测器包括:具有空腔的硅片基底;形成于所述硅片基底的正面的第一介质层;悬浮在所述空腔上的第二介质层和超材料太赫兹谐振子阵列;形成于所述第一介质层表面且与所述超材料太赫兹谐振子阵列电连的引线结构。本发明主要通过基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器来探测从成像样品上反射或透射的太赫兹波,根据探测器的响应信号实现物体重构。该成像仪具有成像速度快,对生物体完全无害,分辨率高,能实现实时结构与功能成像,与现有的主流医学成像手段形成了良好的互补。
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公开(公告)号:CN114376580A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202210002988.X
申请日:2022-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种柔性神经电极及其制备方法、脑机接口,该方法包括:获取硅衬底;于硅衬底上形成牺牲层;在第一旋涂工艺条件下,于牺牲层上形成第一聚酰亚胺层;于第一聚酰亚胺层上形成探测电极阵列;在第二旋涂工艺条件下,于探测电极阵列上形成第二聚酰亚胺层;第二聚酰亚胺层的厚度大于各探测电极的厚度;于第二聚酰亚胺层上形成硬掩膜层;对硬掩膜层和第二聚酰亚胺层进行刻蚀,以露出各探测电极的部分表面;去除硬掩膜层,并释放牺牲层,使得硅衬底脱落,得到柔性神经电极。本申请可以降低柔性神经电极的整体厚度,进而可以提高器件柔性水平,减少神经电极植入大脑后对大脑的损伤,并进一步提升神经电极长期在体植入的可行性、可靠性。
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公开(公告)号:CN112244850B
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202011054647.4
申请日:2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/293
Abstract: 本申请公开了一种颅内深部电极记录器件及其制备方法、系统,其包括柔性衬底,位于柔性衬底上第一金属层,其依次包括后端布线部、金属互连部以及多个间隔设置的电极监测布线部;覆盖在第一金属层上的柔性封装层;位于柔性封装层上的第二金属层,其中的每个电极监测位点的一端通过柔性封装层开设的通孔与电极监测布线部中对应的金属接触点连接,另一端暴露在外以用于监测颅内生物信号。本申请的颅内深部电极记录器件实现了器件体积最小、灵活性最大化,且大大降低了器件的有效弯曲刚度和组织位移,显著提高了其长期生物相容性。
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