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公开(公告)号：CN112599645A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011379359.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备工艺，包括：步骤101：硅片清洗；步骤102：非晶硅沉积；步骤103：TCO薄膜沉积；步骤104：丝网印刷；步骤105：丝网印刷后退火；还包括在步骤103和步骤104之间增加的步骤106：丝网印刷前退火，该步骤106的退火温度为170～220℃，时间为30～60min，退火气氛为空气。根据本发明提供的硅异质结太阳电池的制备工艺相比现有技术特别地增加了一步退火工艺，这一步骤安排在TCO薄膜沉积之后，丝网印刷之前，该退火工艺的增加既实现了硅异质结太阳电池的填充因子的提升，又保证了电极与焊带之间形成良好的力学接触，保障了整体组件的长期可靠性。
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