公开(公告)号：CN109935505A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910221739.8

申请日：2019-03-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 张敏 ,  邵文生 ,  张珂 ,  于志强 ,  高玉娟

IPC: H01J9/04

Abstract: 本发明公开了一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法，包括如下步骤：制备含钪氧化物喷涂材料，所述含钪氧化物喷涂材料为含钪碳酸盐；采用等离子喷涂方法将所述含钪氧化物喷涂材料喷涂至阴极基底上，形成低温大电流密度含钪氧化物阴极。本发明利用含钪碳酸盐发射材料提高了氧化物阴极涂层钪含量的均匀性，从而使得氧化物阴极在低温时具有大的电流密度，增强了阴极涂层牢固度，减少排气时间，而且采用等离子喷涂技术制备的氧化物涂层致密，可增强阴极的电导率，进一步提高脉冲发射电流密度、降低阴极蒸发、延长阴极寿命。

公开(公告)号：CN109801830A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811649707.X

申请日：2018-12-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 郝广辉 ,  邵文生 ,  张珂

IPC: H01J40/16 ,  H01J21/10 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明公开了一种真空沟道晶体管及其制备方法。该晶体管依次包括阳极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和光电阴极，其中在所述阳极和光电阴极之间形成有真空沟道。本发明提供的晶体管设置有真空沟道，使得电子传输距离极短，所述晶体管具有更高的载流子迁移率和载流子平均自由程，同时使得电子在真空沟道中不存在固体器件中电子能量散射对器件热稳定性的影响。

公开(公告)号：CN109065420A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810900938.7

申请日：2018-08-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 郝广辉 ,  邵文生 ,  张珂 ,  李泽鹏

IPC: H01J1/13 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J1/13 ,  H01J9/04 ,  H01J2201/19

Abstract: 本发明公开一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本发明还公开了该热阴极的制备方法。本发明提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。

公开(公告)号：CN107895681A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201711272587.1

申请日：2017-12-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 郝广辉 ,  邵文生 ,  张珂 ,  于志强 ,  高玉娟

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1-xN发射层和形成在p型AlxGa1-xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1-xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1-xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1-xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1-xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。

公开(公告)号：CN208655562U

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201821277891.5

申请日：2018-08-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 郝广辉 ,  邵文生 ,  张珂 ,  李泽鹏

IPC: H01J1/13 ,  H01J9/04

Abstract: 本实用新型公开一种具有三维结构表面的热阴极，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本实用新型提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207441648U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721675131.5

申请日：2017-12-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 郝广辉 ,  邵文生 ,  张珂 ,  于志强 ,  高玉娟

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本实用新型公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1-xN发射层和形成在p型AlxGa1-xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1-xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本实用新型的光电阴极在p型AlxGa1-xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1-xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1-xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利