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公开(公告)号：CN113708754B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110979845.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种高边电平移位和驱动电路；包括逻辑电路、低电平产生电路和高电平产生电路；本发明在逻辑电路产生驱动电压为高电平时，控制高电平产生电路不工作，让低电平产生电路产生低电平电压；在逻辑电路产生的驱动电压为低电平时，控制低电平产生电路不工作，让高电平产生电路产生高电平电压。本发明电路结构简单，设计复杂度低；本发明高边驱动信号的低电平电压可根据低电平产生电路中第二支路中的电流源及其PMOS管的宽长比进行任意调节，能够输出任意连续的低电平电压值；本发明不需使用三极管，能够减小电路驱动能力对工艺中三极管的要求，避免了工艺制造中三极管的性能差异对电路的驱动能力的影响。
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公开(公告)号：CN113965060A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111239466.3
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路；所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端，并采样该LDO的功率管的泄漏电流；所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极，并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态，在所述功率管进入截止区时，将采样的泄漏电流输出；所述电流放大电路连接LDO的输出端，并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中，抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流，避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
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公开(公告)号：CN118523754A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410647231.5
申请日：2024-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种零温度系数电路产生电路，包括：MP1的源极连接电压VDD，MP1的栅极输入信号VBP，MP1的漏极分别连接MN2的栅极、MN1的栅极以及QN1的集电极；QN1的基极分别连接MN1的源极、MN2的源极以及电阻R1的一端，QN1的发射极接地；MN2的漏极连接电压VDD；电阻R1的另一端接地；MN1的漏极分别连接QN2的集电极、MP2的漏极、MP2的栅极以及MP3的栅极；MP2的源极和MP3的源极均连接电压VDD；QN2的基极与固定参考电压VREF相连，QN2的发射极连接电阻R2的一端，R2的另一端接地；MP3的漏极作为输出端；本发明电路仅三条电流支路，功耗较低。
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公开(公告)号：CN117375372A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311333593.9
申请日：2023-10-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种用于电流反馈型DC‑DC转换器的消隐时间自适应电路，包括误差运放输出电压采样转换电路，以及与其连接的前沿消隐时间控制电路，其中：误差运放输出电压采样转换电路，用于对电流反馈型DC‑DC转换器的输出电压和输出电流进行实时采样；前沿消隐时间控制电路，用于根据电流反馈型DC‑DC转换器的输出电压和输出电流控制消隐脉冲的前沿消隐时间；本发明通过表征电流反馈型DC‑DC转换器的输出电压和输出电流的变化的误差运放输出电压来控制前沿消隐时间的大小，实现高精度、智能化控制，提高电源稳定性。
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公开(公告)号：CN117348677A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311455172.3
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种宽输入范围的电压参考电路，该电路结构包括：偏置电路和参考电压电路；偏置电路输入端分别与电阻R0和电源连接，输出端与参考电压电路输入端连接；电阻R0的另一端分别连接二级管的负极和参考电压电路输入端连接；二级管的正极接地；本发明提出了一种新型的宽输入电压范围的电压参考电路，产生的输出电压具有温漂低、结构简单、设计复杂度低、占用芯片面积小的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117193461A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311395382.8
申请日：2023-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种与温度无关的参考源电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第三NPN晶体管、第四NPN晶体管、第五NPN晶体管、第六NPN晶体管、第七NPN晶体管、第八NPN晶体管、第九NPN晶体管、第十NPN晶体管、第十一NPN晶体管、第十二NPN晶体管、电容、电源端、输入信号端以及接地端；本发明电路产生的输出电压和输出电流具有温漂低、结构简单、设计复杂度低、占用芯片面积小等特点。
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公开(公告)号：CN113965060B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111239466.3
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路；所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端，并采样该LDO的功率管的泄漏电流；所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极，并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态，在所述功率管进入截止区时，将采样的泄漏电流输出；所述电流放大电路连接LDO的输出端，并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中，抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流，避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
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公开(公告)号：CN113708754A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110979845.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种高边电平移位和驱动电路；包括逻辑电路、低电平产生电路和高电平产生电路；本发明在逻辑电路产生驱动电压为高电平时，控制高电平产生电路不工作，让低电平产生电路产生低电平电压；在逻辑电路产生的驱动电压为低电平时，控制低电平产生电路不工作，让高电平产生电路产生高电平电压。本发明电路结构简单，设计复杂度低；本发明高边驱动信号的低电平电压可根据低电平产生电路中第二支路中的电流源及其PMOS管的宽长比进行任意调节，能够输出任意连续的低电平电压值；本发明不需使用三极管，能够减小电路驱动能力对工艺中三极管的要求，避免了工艺制造中三极管的性能差异对电路的驱动能力的影响。
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公开(公告)号：CN112327985A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011232182.7
申请日：2020-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器及电子芯片，低压差线性稳压电路包括误差放大电路、缓冲电路、输出功率管、反馈网络和抗饱和电路，其中，抗饱和电路的第一端连接缓冲电路，抗饱和电路的第二端连接低压差线性稳压电路的输出端，抗饱和电路用于当输出功率管处于饱和状态时，对输出功率管的BC结电压进行钳位，本发明还提供了一种低压差线性稳压器及电子芯片，可以实现当输出功率管达到饱和状态时，对输出功率管的BC结电压进行钳位，使得输出功率管BC结电压保持在某一固定电压值，防止输出功率管进一步饱和进入深度饱和状态，进而避免了因输出功率管进入深度饱和状态使得电路效率降低，发热，影响性能甚至烧毁电路的问题。
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公开(公告)号：CN108469862B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810206174.1
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种低温漂电流源基准电路，包括电流产生电路、启动电路、镜像电路和偏置电流源，所述偏置电流源向所述启动电路和镜像电路提供偏置电流；所述启动电路在接收到所述偏置电流后向所述镜像电路提供启动信号，控制所述镜像电路启动；所述镜像电路启动后将所述偏置电流提供给所述电流产生电路；所述电流产生电路在接收到所述偏置电流后，利用材质相同、发射极面积不同的晶体管，对各个晶体管上的发射结电压求差，产生低温漂电流，并将所述低温漂电流提供给所述镜像电路，由所述镜像电路镜像输出。本发明温漂更小、电路更简单，芯片面积更小。
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