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公开(公告)号：CN113889999A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111243715.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 西安交通大学 , 国网山西省电力公司
Abstract: 本发明公开了一种抑制直流微电网电压波动的自抗扰控制方法及系统，构建以储能DAB变换器为基础的小信号模型；建立电压外环控制的扰动方程；根据小信号模型和扰动方程建立以自抗扰控制器为核心的电压控制外环；通过电压控制外环得到下一时刻的占空比d；直流微网的母线观测电压值vo依据下一时刻占空比d进行电压幅值调节，实现自抗扰控制。
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公开(公告)号：CN112207331A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010956712.6
申请日：2020-09-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种单轴进给系统铣削过程的动力学集成建模方法，先进行控制系统模块的等效建模，再进行PWM与逆变器模块的等效建模，然后进行伺服电机模块的等效建模，再进行机械系统模块的动力学等效建模，然后进行铣削模块的等效建模，再进行模型的集成，最后对集成模型进行离散化；本发明实现滚珠丝杠进给系统从指令输入到工作台位移输出的全过程物理仿真；同时实现铣削力、刀具振动状态、零件加工表面的仿真计算；建立单轴滚珠丝杠进给系统与铣削过程的集成模型，实现二者间交互作用的耦合分析。
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公开(公告)号：CN111228030A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010159315.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院
IPC: A61F5/56
Abstract: 一种用于治疗OSAS的智能磁牵引装置，包括体内部分和体外部分，体内部分包括用于安装在舌骨体上的外壳和装入外壳中的内磁铁；体外部分包括带有圆柱形安装孔的下壳体，圆柱形安装孔中设置有外磁铁，下壳体设于体表外，且外磁铁的底部与内磁铁相吸，外磁铁与舵机摇臂连接，由舵机通过舵机摇臂带动在圆柱形安装孔中轴向移动以改变与内磁铁之间的距离。通过外科手术将体内组件固定于舌骨体，然后于颈部佩戴体外组件，通过调整体外组件，使体内组件和体外组件距离合适，内磁铁与外磁铁吸引，向前和向上牵拉舌骨，防止舌根后坠，持续性保持呼吸道通畅。通过长期牵拉，使舌骨局部结构改变，舌骨向前、向上移位，达到完全治愈。
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公开(公告)号：CN110011323A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910314923.7
申请日：2019-04-18
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 西安交通大学 , 国网陕西省电力公司 , 国家电网有限公司
Inventor： 琚泽立 , 蒲路 , 侯喆 , 郭洁 , 朱跃 , 赵学风 , 高子豪 , 李梦真 , 张伟 , 陈磊 , 吕新良 , 杨传凯 , 段玮 , 孙浩飞 , 高峰 , 王南 , 尚宇 , 牛全保
Abstract: 本发明公开了一种可抑制次同步谐振的配电网串联电容补偿装置及补偿方法，该串联电容补偿装置由补偿单元和次同步谐振抑制单元组成。补偿单元包括电容器、阻尼回路、限压器以及旁路断路器，用以提高持续运行电压下的电压质量。次同步谐振抑制单元包括电感线圈、晶闸管及控制支路组成，控制支路由电源、带通滤波器、整流电路、电压比较器以及触发电路，在补偿单元与配电系统发生次同步谐振时，带通滤波器通过实时监测配电网的次同步谐振频率、电压信号，进行滤波后经整流电路处理将交流信号转为直流信号，传输给电压比较器进行比较，输出给触发电路进行处理，触发晶闸管可靠导通。电源为为次同步谐振单元提供工作电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109921432A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910314097.6
申请日：2019-04-18
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 上海置信电气股份有限公司 , 国网陕西省电力公司 , 西安交通大学 , 国家电网有限公司
IPC: H02J3/16
Abstract: 本发明公开了一种用于末端集中负荷的配电网综合无功调压补偿装置，综合无功调压补偿装置由补偿系统和控制系统组成。补偿系统包括电容器、阻尼回路、限压器、旁路断路器及可控断路器和快速开关，用以提升持续运行电压下的电压质量。控制系统包括电流互感器、电压互感器、电压比较器、功率因数监测设备、功率因数比较器、逻辑运算电路以及触发电路构成。该装置通过识别负荷节点的电压及功率因数，通过可控断路器调整为串联电容补偿或并联电容补偿工作状态，以保证无功补偿的适应性及可靠性。本发明主要用于改善配电网的电能质量，尤其适用于对负荷集中于配电网线路末端且功率因数低的集中大负荷的电压补偿。
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公开(公告)号：CN108736868A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810380925.1
申请日：2018-04-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/28 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，包括触发控制单元、磁开关、复位电源、电源及半导体开关，所述半导体开关由若干IGBT模块组成，其中，磁开关包括磁芯以及缠绕于磁芯上的复位绕组及磁开关绕组，其中，复位绕组的两端分别与复位电源的正负极相连接，磁开关绕组的一端与电源的正极相连接，磁开关绕组的另一端与第一个IGBT模块的集电极相连接，前一个IGBT模块的发射极与后一个IGBT模块的集电极相连接，最后一个IGBT模块的发射极与电源的负极相连接，各IGBT模块的门极分别与触发控制单元相连接，该电路能够降低各级IGBT模块的导通损耗。
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公开(公告)号：CN108456929A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810369029.5
申请日：2018-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微观制备六方相二碲化锗晶体的方法，包括：选择能够进行微观结构表征或电学性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；选择锗锑碲化合物作为异质结构的主体材料；利用磁控溅射或分子束外延薄膜制备方法制备出碲元素含量高的非晶薄膜；将制备好的非晶薄膜进行高温退火处理，并在氩气气氛或真空下进行保护，形成六方相晶体结构；对退火后的六方相晶体样品进行预处理；利用TEM来表征预处理后的六方相晶体样品的结构，或利用电学测试平台测试其电学性能，即完成六方相二碲化锗晶体的微观制备。本发明结合了主流的薄膜制备方法，便于观察及微观结构表征和进行性能表征，简便易操作，可行性高。
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公开(公告)号：CN107659200A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711130580.6
申请日：2017-11-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于真空灭弧室老炼的级联型亚微秒级高压脉冲发生器，脉冲变压器原边绕组的一端与续流二极管的正极及储能电容的一端相连接，储能电容的另一端与控制开关的一端及第一磁开关的一端相连接，第二磁开关的一端与续流二极管的负极、控制开关的另一端及脉冲变压器原边绕组的另一端相连接；前一个脉冲变压器组件中第一磁开关的另一端与下一个脉冲变压器组件中第一磁开关与储能电容之间的线路相连接；各脉冲变压器组件中脉冲变压器的副边绕组串联相连接，该脉冲变压器输出脉冲电压的幅值较高，并且成本较低。
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