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公开(公告)号：CN118397296A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410584316.3
申请日：2024-05-11
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 王义楠 , 李智炜 , 陈长林 , 吴家栋 , 李清江 , 徐晖 , 刁节涛 , 刘森 , 宋兵 , 刘海军 , 于红旗 , 王玺 , 王伟 , 曹荣荣 , 孙毅 , 步凯 , 李楠 , 孙振源
Abstract: 本申请涉及基于残差脉冲神经网络面向目标识别的方法和装置，通过将获取的输入图像输入到设计的轻量级的目标识别网络中，由脉冲编码层首先对输入图像进行脉冲编码得到脉冲特征图，然后通过主干网络从脉冲特征图中提取不同尺寸和层次结构的主干特征图，最后通过有两组不同独立预测分支的检测头从主干网络中选择不同的主干特征图与检测头的中间特征图融合，使用融合后的特征图进行预测输出，并对预测结果使用非极大值抑制法进行筛选与过滤得到输入图像的目标识别结果，大幅提高了目标识别性能。
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公开(公告)号：CN118335173A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410152324.0
申请日：2024-02-03
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 王义楠 , 李清江 , 刘桂青 , 徐晖 , 刘海军 , 陈长林 , 李智炜 , 宋兵 , 王伟 , 刘森 , 于新军 , 朱城和 , 王玺 , 曹荣荣 , 于红旗 , 步凯 , 刁节涛 , 孙毅 , 孙振源
Abstract: 本申请涉及忆阻器读写测试电路和测试方法，通过采用脉冲发生卡、阵列卡和信号采集卡构成的测试电路，由阵列卡来直接实现不同被测的忆阻器阵列的搭载，以用于进行测试。将信号采集卡配置为读/写模式后，上位机开启触发测试，脉冲发生卡发送读写脉冲DAC设置信号和栅压控制脉冲信号；栅压控制脉冲信号通过阵列卡将忆阻器阵列中已选中的列上的MOS开关管全部打开，读写脉冲DAC设置信号通过阵列卡施加到忆阻器阵列中已选中的行上，选中的列线通过阵列卡将其列输出信号传输到信号采集卡进行采集后，传输到上位机进行读写功能测试结果处理与显示，有效提高了忆阻器阵列的读写测试效率。
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公开(公告)号：CN117648960B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410122895.X
申请日：2024-01-30
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 王伟 , 李清江 , 徐晖 , 汪泳州 , 童霈文 , 刁节涛 , 刘海军 , 王义楠 , 于红旗 , 王玺 , 李楠 , 步凯 , 陈长林 , 刘森 , 宋兵 , 李智炜 , 曹荣荣 , 王琴 , 孙振源
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器的脉冲神经网络在线训练电路及方法。该在线训练电路包括：包括M个前神经元模块、忆阻器突触阵列模块和N个后神经元模块，前向识别模式利用了神经元模块在不同输入下产生输出识别信号的时间差异，以最先产生输出识别信号的后神经元模块对应的类别作为识别结果。反向传播模式中，将由调整信号、训练信号和控制信号决定的电压同时施加到忆阻器阵列模块，使得整个忆阻器突触阵列模块的权值调整同步进行，实现了对权值调整的并行操作，因此大大提高了训练速度，为实现高性能的基于忆阻器的脉冲神经网络提供了重要支持。
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公开(公告)号：CN117492511A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311442478.5
申请日：2023-11-01
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 李清江 , 宋兵 , 孙振源 , 田圆 , 徐晖 , 刘森 , 王伟 , 刘海军 , 曹荣荣 , 王义楠 , 陈长林 , 李智炜 , 刁节涛 , 王玺 , 于红旗 , 王琴 , 步凯 , 李楠
Abstract: 本发明提出一种光矩阵乘法计算最小单元及网络，包括移相器和可调谐定向耦合器，采用相变材料贴片作为移相器，分别在所述定向耦合器输入侧的一条波导臂上和定向耦合器的耦合区域上覆盖相变材料贴片。相较于采用铌酸锂材料的热光移相器，以相变材料贴片作移相器，有效降低了移相器热调谐损耗和移相器尺寸。通过光矩阵乘法计算最小单元级联的形式获得光矩阵乘法计算网络，减小了光学深度，提升了阵列的可扩展性。
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公开(公告)号：CN111554810B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010416576.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种选通器件及其制备方法，涉及微纳电子器件技术领域。该选通器件包括从下到上依次设置在衬底上的下电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及上电极；其中，下电极为惰性电极，上电极为活性电极，第一绝缘层的金属离子迁移率小于第二绝缘层的金属离子迁移率。本申请的方案中，通过在选通器件中下电极和上电极之间设置金属离子迁移率不同的两个绝缘层，即第一绝缘层和第二绝缘层，通过第一绝缘层的金属离子迁移率小于第二绝缘层的金属离子迁移率这一特性，控制导电通道重新连通的位置，降低了新形成的导电通道的位置的随机性，有效降低了不同循环操作中阈值电压的波动，有效支撑选通器件在忆阻器交叉阵列中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112735494B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110001459.3
申请日：2021-01-04
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明实施例公开了忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质，方法包括：步骤1、确定忆阻器的第一阻值，若第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；步骤2、执行电铸；步骤3、判断电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；步骤4、确定忆阻器的第二阻值；步骤5、若第二阻值处于目标阻值区域外，则执行阻值调制；步骤6、确定忆阻器的第三阻值；步骤7、若第三阻值处于目标阻值区域内，则进行阻值校验，若阻值校验成功，则完成阻值调控。本方案实现了逐步将忆阻器的阻值逼近目标阻值的效果。
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公开(公告)号：CN112735494A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110001459.3
申请日：2021-01-04
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明实施例公开了忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质，方法包括：步骤1、确定忆阻器的第一阻值，若第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；步骤2、执行电铸；步骤3、判断电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；步骤4、确定忆阻器的第二阻值；步骤5、若第二阻值处于目标阻值区域外，则执行阻值调制；步骤6、确定忆阻器的第三阻值；步骤7、若第三阻值处于目标阻值区域内，则进行阻值校验，若阻值校验成功，则完成阻值调控。本方案实现了逐步将忆阻器的阻值逼近目标阻值的效果。
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公开(公告)号：CN111680792A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010559489.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 刘森 , 李清江 , 宋兵 , 李锟 , 孙毅 , 王伟 , 于红旗 , 李楠 , 刘海军 , 李智炜 , 陈长林 , 王义楠 , 步凯 , 王玺 , 曹荣荣 , 徐晖 , 刁节涛
Abstract: 本申请提供一种激活函数电路、忆阻神经网络及忆阻神经网络的控制方法，涉及忆阻器技术领域。该电路可以包络：运算放大器、忆阻器，其中：该运算放大器的同相输入端接地，该运算放大器的反相输入端与前级忆阻交叉阵列中一个输出端连接；该运算放大器的输出端与后级忆阻交叉阵列的一个输入端连接，该运算放大器的反相输入端通过该忆阻器与该运算放大器的输出端连接；该忆阻器还连接激励电源，用以向该忆阻器提供激励电压，调整该忆阻器的阻值。应用本发明实施例，可以提高该忆阻神经网络的运算速度。
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公开(公告)号：CN111476356A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010390038.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本申请提供一种忆阻神经网络的训练方法、装置、设备及存储介质，涉及硬件神经网络技术领域。该方法包括：对忆阻交叉阵列进行读写操作，确定忆阻交叉阵列中的已损坏忆阻单元；根据已损坏忆阻单元在忆阻交叉阵列中的位置，确定已损坏忆阻单元的目标阻态模式；根据目标阻态模式，采用预设的权值网络算法进行训练，得到忆阻交叉阵列的权值集合，权值集合中每个权值参数对应一个忆阻单元，权值集合中已损坏忆阻单元对应的权值参数为：目标阻态模式对应的权值参数。本申请可在考虑忆阻交叉阵列的良率即已损坏忆阻单元的情况下，实现忆阻神经网络的训练，提高忆阻神经网络计算精度。
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公开(公告)号：CN111277267A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010147302.7
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请实施例提供一种双通道TIADC的时延失配补偿方法、装置及电子设备，该方法包括获取双通道TIADC的输出信号，所述输出信号中包括两个通道的数据序列；根据双通道TIADC的时延失配系数确定所述两个通道的补偿分配值；将所述双通道TIADC的输出信号作为待补偿信号，基于所述两个通道的补偿分配值确定所述待补偿信号的失配误差序列；根据所述失配误差序列分别对所述待补偿信号的两个通道的数据序列进行补偿，以使所述两个通道相互匹配。以此可以改善现有技术中对于双通道TIADC的时延失配进行补偿后动态性能较差的问题。
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