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公开(公告)号：CN105842523B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610377641.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 中南大学
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种TSV微盲孔表面电流密度的测定方法及系统，测定过程为：先将硅片和夹具一起放入电镀槽中，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后将电镀槽放回三维运动平台；将Pt电极定位到TSV微盲孔上表面位置；最后测定TSV微盲孔口部电流密度：将Pt电极移动到距离TSV微盲孔口部10‑50纳米的位置；用微电阻仪的两极分别连接Pt电极与硅片表面的种子层，测量电阻R1；将硅片接入电镀电源的负极进行电镀，测量Pt电极与硅片表面的种子层之间的电压V1，计算局部电流I1＝V1/R1，除以电极截面积，获得局部电流密度。通过类似的方法，可测定TSV微盲孔表面不同位置的电流密度分布情况。
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公开(公告)号：CN105842523A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610377641.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 中南大学
IPC: G01R19/08
CPC classification number: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种TSV微盲孔表面电流密度的测定方法及系统，测定过程为：先将硅片和夹具一起放入电镀槽中，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后将电镀槽放回三维运动平台；将Pt电极定位到TSV微盲孔上表面位置；最后测定TSV微盲孔口部电流密度：将Pt电极移动到距离TSV微盲孔口部10?50纳米的位置；用微电阻仪的两极分别连接Pt电极与硅片表面的种子层，测量电阻R1；将硅片接入电镀电源的负极进行电镀，测量Pt电极与硅片表面的种子层之间的电压V1，计算局部电流I1＝V1/R1，除以电极截面积，获得局部电流密度。通过类似的方法，可测定TSV微盲孔表面不同位置的电流密度分布情况。
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公开(公告)号：CN105067421A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510585488.3
申请日：2015-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法，包括如下步骤：步骤一、利用高分率X射线显微镜，从不同角度对TSV结构进行成像，然后通过图像重构技术获得TSV结构的三维结构点云数据；步骤二、计算TSV结构在外载荷作用前后，上述点云数据中每一个点的空间三维变形量；步骤三、根据步骤二得到的三维变形量，采用拉格朗日应变张量来计算TSV结构中每个点的三维应力状态。本发明基于图像信号分析来表征TSV结构三维应力，能弥补传统应力表征的成本昂贵、效率较低的不足，对含TSV结构的器件在外载荷作用下的失效分析和可靠性设计意义重大。
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公开(公告)号：CN112951874B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110378750.2
申请日：2021-04-08
Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种提高micro‑led柔性与互连可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将一个Micro‑led大阵列中的像素点划分为多个Micro‑led小阵列，其中，每个像素点对应一个金属凸点，每个小阵列的凸点通过得重布线技术在电路上互相连通；步骤2：将Micro‑led与CMOS进行倒装互连，其中，一个Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点互连。本发明将一组Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点进行互连，即一种1对n的互连方式，使这一小阵列中只要有一个金属凸点与CMOS像素点实现导通即可点亮这一小阵列内所有Micro‑led像素点。更好地实现柔性显示，同时提高了金属凸点倒装工艺的可靠性，保障了Micro‑led器件显示的稳定性。
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公开(公告)号：CN110581125B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910886527.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2‑x‑yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2‑x‑yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2‑x‑yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2‑x‑yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887882B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910091582.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。
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公开(公告)号：CN110797267A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911105268.0
申请日：2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法，包括先将底填料放置于模具中，进行烘烤固化，脱模后得到底填料模板；在所得底填料模板表面刻蚀通孔，得到底填料预制板；在底填料预制板的通孔内沉积金属铜，形成带微凸点的底填料预制板；将基板与带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放，用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。本发明提供的互连结构的底填方法解决了高密度微凸点封装中底填困难的问题，即解决了传统底填技术底填胶难以填满整个芯片微凸点之间的缝隙的问题，满足三维集成封装技术中以高密度凸点互连为核心的发展趋势，封装结构可靠性高。
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公开(公告)号：CN110707081A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911098629.3
申请日：2019-11-12
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种用于系统级封装的散热结构，包括：封装基板；模封材侧壁，所述模封材侧壁围绕所述封装基板顶面的边缘设置；散热装置，所述散热装置覆盖设置在所述模封材侧壁顶面；倒装芯片，所述倒装芯片粘接安装在所述所述散热装置的底面，所述倒装芯片的底部通过焊料球倒装焊在所述封装基板的表面与所述封装基板进行电连接；引线键合芯片，所述引线键合芯片粘接安装在所述封装基板的表面，所述引线键合芯片与封装基板间连接有引线键合线，所述引线键合芯片通过所述引线键合线与所述封装基板进行电连接；本发明结构简单，能够将不同封装形式的芯片整合到同一封装体中，并且散热效率高，能够优化芯片工作温度环境，提高芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN110581125A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910886527.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2-x-yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2-x-yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2-x-yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2-x-yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2-x-yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2-x-yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。
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公开(公告)号：CN110043599A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910380323.0
申请日：2019-05-08
Applicant: 中南大学 , 湖南建之达节能科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可定位磁流变柔性加载装置，包括一缸体和两个方形活塞，所述方形活塞设置呈方形，分别设置在所述缸体第一端和第二端开设的缸体内腔内，所述缸体内腔设置呈方形并与所述方形活塞相匹配；所述方形活塞与所述缸体内腔之间设置有磁流体，且在所述缸体的端部分别贴合地设置有一端盖；每个所述方形活塞分别与一活塞引导杆固定连接，所述活塞引导杆贯穿所述端盖，并沿所述缸体的轴向分布；所述缸体的中部缠绕地设置有多圈磁力线圈。本发明可限制缸体内活塞的相对转动，在完成磁流变柔性加载的同时，可实现定位功能，极大地扩展了磁流变装置在加载领域的应用，解决精密柔性定位加载的问题。
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