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公开(公告)号：CN102828238A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210303314.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明一种用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法，首先选取复合衬底晶片，在初始温度和外延起始温度不同时，计算出复合衬底晶片中第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化，然后根据第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化计算出复合衬底晶片变形后的球面半径；再根据计算得出的R0值在载体上开设衬底球径结构；然后把复合衬底晶片置放到衬底球径结构中，在HVPE中进行半导体材料生长。本发明改善了半导体材料外延过程起始阶段衬底晶片表面温场的均匀性，提高外延起始层与原有材料的衔接质量，降低了工艺调试难度，提高了外延半导体材料的质量。
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公开(公告)号：CN102492938B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110453183.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
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公开(公告)号：CN102212799A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110142250.5
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种高反应率反应室，包括室体，室体具有顶壁、底壁及连接顶壁与底壁的两侧壁，顶壁内侧面上设有复数上挡板，底壁内侧面上设有复数下挡板，上挡板与下挡板向内的顶端上下相互交叉，上挡板与下挡板之间平行的间隔排布，室体上连接有输入管道及输出管道。本发明通过在室体内设置若干挡板，使气体多次接触金属源表面，发生多次反应，从而提高了反应效率。
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公开(公告)号：CN105352324B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN105352324A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
CPC classification number: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102492938A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110453183.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
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公开(公告)号：CN106321877A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510390215.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F16K3/30
CPC classification number: F16K3/30
Abstract: 本发明涉及一种真空阀门，具体的涉及一种大通道尺寸真空插板阀，包含阀体、阀舌、阀舌驱动器和压力平衡结构，当需要开启或者关闭阀门时，可以先使用压力平衡结构对阀舌两侧压力进行平衡后再操作，本发明一种大通道尺寸真空插板阀具有通道尺寸大，自身结构简单，密封性好，密封件不易磨损，寿命长等优势，适合各种真空腔体接口处使用。
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公开(公告)号：CN203746816U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201320727092.4
申请日：2013-11-18
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本实用新型公开了一种安全高效的多功能夹具，其特征在于，包含夹尾、两个夹臂、两个夹头、一至二个反光结构与一至二个放大结构。其特殊的放大结构和反光结构将模糊的标记放大，保证读取信息的可靠性。反光结构可以简化晶片背面信息读取操作，提高操作的安全性。本实用新型适用于各个使用晶片的行业。
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公开(公告)号：CN202796894U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220320302.3
申请日：2012-07-04
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种晶片托盘，可连续运用于晶片的生产和清洗工序。本实用新型包含托盘本体，托盘本体包含一上表面和一下表面，上表面包含晶片槽、流通孔、晶片支撑架、晶片取放槽、编码数字、小连接槽，下表面包含连接柱，上表面设有一个以上凹形的晶片槽，晶片槽内壁设有三条以上的晶片支撑架，晶片槽底部设有一个以上流通孔，晶片槽周边处设有一个以上晶片取放槽。本实用新型的晶片托盘在整套生产流程只需要发放晶片的操作员记录晶片编号，后续程序只需记录晶片对应的编码数字，达到晶片便于统筹管理，便于取放，便于计数的目的。
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公开(公告)号：CN202274230U
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201120355244.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F16L49/00
Abstract: 本实用新型公开了一种石英管与金属体连接结构，其安全性高、密封性好、能够承受较大载荷。本实用新型包含有金属体、石英管，金属体内腔设有石英管，石英管外侧设有石英管凸缘，石英管凸缘外侧设有中空外螺纹螺母，中空外螺纹螺母的顶部与石英管凸缘的凸出部之间设有B胶圈，石英管凸缘的凸出部与金属体的内腔壁之间设有A胶圈。本实用新型设计的凸缘型石英管连接方式，不仅实现石英管与金属体间连接，还能够承受较大载荷，使石英管不会从金属体上脱落，从而提高了连接和使用时的安全性，也利于降低整体成本。
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