-
公开(公告)号：CN103997317B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410215745.X
申请日：2014-05-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种显著提高控制电流—输出频率线性度的张弛振荡器，包括振荡电路、延时误差检测电路和调制电流产生电路，延时误差检测电路用于检测振荡电路中充放电电容的峰值电压，并根据峰值电压产生延时误差消除信号，使振荡器振荡在预设的频率上，调制电流产生电路根据充放电电容上的峰值电压，产生相应的附加控制电流，提高充放电电容的充电速率，消除振荡电路延时的影响，提高控制电流—频率的线性度，由于调制电流产生电路输出的额外控制电流会使充放电电容C1和C2上的电压进一步增加，因此本发明还能够降低振荡器输出信号的抖动。
-
公开(公告)号：CN102904220B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210441310.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022776A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410304459.0
申请日：2014-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/08
Abstract: 一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路，在现有自举二极管仿真电路的栅极驱动电路结构中加入了一个电平移位和一个简单电荷泵，在栅极驱动输入信号为低电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为低电平，关断N沟道LDMOS晶体管LD1。在栅极驱动输入信号为高电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为高电平，从而提高了N沟道LDMOS晶体管LD1的栅极电压，降低了LD1的导通电阻，提高了给自举电容的充电电流。
-
公开(公告)号：CN103929138A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410169761.X
申请日：2014-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种低功耗高增益高摆率的运算跨导放大器，在设有输入级、输出级和负载电容CL的运算跨导放大器基本结构基础上，增设自适应偏置电路、电流检测电路、差分电流重新分配电路和动态输出驱动控制电路，由差分输入信号控制自适应偏置电路，通过电流检测电路检测自适应偏置电路产生的电流，并经过差分电流重新分配电路增加负载的小信号电流差以提高运算跨导放大器的等效跨导，动态输出驱动控制电路采集检测到的电流，动态地控制输出端的电流，实现运算跨导放大器压摆率的全面提升，彻底解决一般运算跨导放大器难以调和的速度与精度之间的矛盾，实现电路静态、动态性能的全面提升。
-
公开(公告)号：CN103762969A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410020857.X
申请日：2014-01-17
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、RS锁存器和驱动器，高压电平移位电路将输入的两路低压脉冲信号转换为两路高压脉冲信号输出，两路高压脉冲信号分别经处理后进入RS锁存器，RS锁存器的输出至驱动器，驱动器输出驱动信号控制外部功率管的开关。本发明对高压电平移位电路进行了改进，改进后的高压电平移位电路包含两个完全相同的独立部分，每个独立的部分均包括两个LDMOS管，一个延时单元，一个齐纳稳压管，一个电容，一个电阻和一个中压PMOS管。本发明能够消除dV/dt干扰噪声和差模噪声，并能在消除噪声干扰的同时，不影响正常信号的传递，同时还加大了允许的负VS电压。
-
公开(公告)号：CN103197722A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310109668.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，基于传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Q1和Q2，PMOS管M1、M2和M3，运算放大器OP，电阻R1、R2、R3、R4；其特征在于：将上述传统的带隙基准电压电路加以改进，将去掉电阻R1、R3，在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6，R5=R6。本发明电路在电源电压和三极管Q1、Q2偏置电流均相同的条件下，输出基准电压为1V时所消耗的总静态功耗比传统结构降低了约70%。
-
公开(公告)号：CN102904220A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210441310.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.02 seconds)
