一种聚二甲基硅氧烷模板印刷制备分子结的方法

    公开(公告)号:CN102097588B

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201010598409.X

    申请日:2010-12-21

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种聚二甲基硅氧烷模板印刷制备分子结的方法,清洗Si基片后进行光刻,制备下电极,在Au下电极表面制备分子自组装薄膜,制备聚二甲基硅氧烷模板,制备聚二甲基硅氧烷印章,制备上电极,然后进行上电极印刷,得到十字交叉分子结。本发明提供了一种有机分子层交叉分子结上电极的无损制备方法,避免了直接将Au膜沉积到有机分子层上时,由于少量金属颗粒渗入分子间孔隙而导致的上下电极短路或蒸发沉积热致烧蚀破坏带来的弊端。本发明方法有效避免了金属/分子接触界面之间的严重不确定性。

    一种聚二甲基硅氧烷模板印刷制备分子结的方法

    公开(公告)号:CN102097588A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010598409.X

    申请日:2010-12-21

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种聚二甲基硅氧烷模板印刷制备分子结的方法,清洗Si基片后进行光刻,制备下电极,在Au下电极表面制备分子自组装薄膜,制备聚二甲基硅氧烷模板,制备聚二甲基硅氧烷印章,制备上电极,然后进行上电极印刷,得到十字交叉分子结。本发明提供了一种有机分子层交叉分子结上电极的无损制备方法,避免了直接将Au膜沉积到有机分子层上时,由于少量金属颗粒渗入分子间孔隙而导致的上下电极短路或蒸发沉积热致烧蚀破坏带来的弊端。本发明方法有效避免了金属/分子接触界面之间的严重不确定性。

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