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公开(公告)号：CN118658767A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410579941.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。
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公开(公告)号：CN117238742A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311155125.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和等离子体点火后的点火状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的热输入量作为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和点火状态的供给电力来计算该热输入量。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。
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公开(公告)号：CN111801990B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980013656.8
申请日：2019-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合，来计算来自等离子体的热输入量，该计算模型包括该热输入量作为参数来计算过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。
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公开(公告)号：CN115881613A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211137348.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供能够抑制传热气体的泄漏的基片支承器、基片处理装置和静电吸附方法。支承基片的基片支承器包括：基座；静电吸盘，其配置在上述基座的上方，具有用于支承基片的基片支承面；和以包围上述基片支承面上的基片的方式配置的边缘环，上述静电吸盘具有用于支承上述边缘环的环支承面，上述环支承面的内缘侧低于外缘侧。
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公开(公告)号：CN111933508A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010373310.3
申请日：2020-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度成为固定，测量部测量过渡状态和第二稳定状态下的供给电力，所述过渡状态为从等离子体点火且针对加热器的供给电力稳定了的第一稳定状态转变为等离子体熄火的状态之后的针对加热器的供给电力增加的状态，所述第二稳定状态为等离子体熄火且针对加热器的供给电力稳定了的状态。参数计算部使用测量出的过渡状态和第二定常状态的供给电力，对以来自等离子体的热输入量以及被处理体与加热器间的热阻为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算热输入量和热阻。温度计算部使用计算出的热输入量和热阻来计算第一稳定状态下的被处理体的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111009454A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910944945.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、监视方法以及记录介质，不配置传感器就检测异常的发生。等离子体处理装置具有存储部、第二获取部以及监视部。存储部存储变化信息，该变化信息表示针对载置于载置台上的晶圆的等离子体处理的处理条件发生了变化的情况下的与载置台的温度有关的值的变化。第二获取部以规定的周期获取与载置台的温度有关的值。监视部基于变化信息，根据由第二获取部获取的与载置台的温度有关的值的变化，来监视等离子体处理的处理条件的变化。
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公开(公告)号：CN109801828A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811366280.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和在等离子体点火之后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的输入热量以及晶圆与加热器之间的热阻设为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算输入热量和所述热阻。设定温度计算部使用由参数计算部计算出的输入热量和热阻，来计算使晶圆成为目标温度的加热器的设定温度。
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公开(公告)号：CN101005031A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610164521.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01L21/316 , H01L21/00 , C23C16/00 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置(100)的腔室(10)，被基座(11)和挡板(18)分隔为处理室(10u)和排气室(10d)，在对基板G进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，此时，将基座(11)下降，使得在基座(11)和挡板(18)之间产生间隙S。如此使处理室(10u)和排气室(10d)的压差减小，通过在处理室(10u)和排气室(10d)中使沉积自由基处于几乎相同的状态，减小处理室(10u)和排气室(10d)的成膜速度差，由此能够以均匀的膜质量，形成厚度更加相等的处理室(10u)和排气室(10d)的预涂膜。
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公开(公告)号：CN111933509B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202010374157.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、计算方法以及记录介质，能够求出顶板的消耗程度。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起针对加热器的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力，对将顶板的厚度作为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算顶板的厚度。
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公开(公告)号：CN111933508B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010373310.3
申请日：2020-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈信介
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度成为固定，测量部测量过渡状态和第二稳定状态下的供给电力，所述过渡状态为从等离子体点火且针对加热器的供给电力稳定了的第一稳定状态转变为等离子体熄火的状态之后的针对加热器的供给电力增加的状态，所述第二稳定状态为等离子体熄火且针对加热器的供给电力稳定了的状态。参数计算部使用测量出的过渡状态和第二定常状态的供给电力，对以来自等离子体的热输入量以及被处理体与加热器间的热阻为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算热输入量和热阻。温度计算部使用计算出的热输入量和热阻来计算第一稳定状态下的被处理体的温度。
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