公开(公告)号：CN101064987B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200610121598.5

申请日：2004-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 速水利泰 ,  岩崎征英 ,  高平淳一 ,  渡部一良 ,  小松真一 ,  佐佐木雄一

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C14/34 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器，与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。

公开(公告)号：CN102263026A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206125.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。

公开(公告)号：CN1973363B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200580020518.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN100539000C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN1305353C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02824577.6

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 速水利泰 ,  大濑刚 ,  高平淳一 ,  岛田淳一

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 本发明提供一种高频电源，它能够通过高精度地除掉等离子体生成时产生的高次谐波成分或调制波成分而防止误动作，同时，对等离子体处理装置施加适当的高频功率。高频电源包括由方向性结合器(21)、混频器(22)、100kHz的低通滤波器(23)、低频检波器(24)、和振荡器(25)构成的功率监视器，通过混频器(22)将频率100MHz的高频波和由振荡器(25)振荡的频率99.9MHz的高频波相加，并通过低通滤波器(23)及低频检波器(24)将该输出变换成100kHz后进行检波，所述频率100MHz的高频波包含由方向性结合器(21)取出的调制波成分等。

公开(公告)号：CN1832106A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610057728.3

申请日：2006-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子健吾 ,  速水利泰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明的目的在于等离子体处理装置的多个部件的温度控制系统，减少其设置空间和冷却介质的使用量。温度控制系统(80)具有以通过上部电极(20)和基座(12)的内部的方式使盐水循环的循环系统(91)、在循环系统(91)的盐水和替代氟碳化合物之间进行热交换的热交换器(100)、向热交换器(100)供给替代氟碳化合物的冷冻机(92)。循环系统(91)具有通过上部电极(20)内部的第一分流管(111)、通过基座(12)内部的第二分流管(112)。在上部电极(20)和基座(12)的各分流管(111、112)上设置有加热盐水的加热器(121)。热交换器(100)被设置在净化室(R)内，冷冻机(92)被设置在效用室(B)。

公开(公告)号：CN102270577A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110206176.9

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN102256432A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110206223.X

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。

公开(公告)号：CN102256431A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110206162.7

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。

公开(公告)号：CN100382276C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200610065330.4

申请日：2006-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大桥薰 ,  速水利泰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板载放台(17)，在其内侧制冷剂室(28)与外侧制冷剂室(29)之间设置有圆筒形状的空隙部(30)。与空隙部(30)连接的配管(30a)一直延伸至基板载放台(17)的下方，通过阀(71)与真空泵(72)连接。利用该真空泵(72)将空隙部(30)内减压至规定的真空状态后关闭阀(71)，使空隙部(30)内处于真空状态，通过这种方法可以降低空隙部(30)的传热性，并作为隔热部件。从而，能够提高基板载放台的温度控制，从而实现晶片表面内的均匀化处理。