公开(公告)号：CN110429042A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910337614.1

申请日：2019-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福冈哲夫

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明在目标温度有改变时能够在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。温度调节单元(143)将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度后供给到对晶片释放出抗蚀剂液的喷嘴，其包括：主体部(160)，其形成有抗蚀剂液的流路(160a)，并具有热传导性；设置于主体部(160)的至少一面的帕尔帖元件(161)；检测主体部(160)的温度的温度传感器(162)；和控制部(200)，其基于温度传感器(162)的检测结果来控制帕尔帖元件(161)，将主体部(160)的温度调节为主体部目标温度，由此将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度。

公开(公告)号：CN102593421A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210011628.2

申请日：2012-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福冈哲夫 ,  寺田和雄 ,  北野高广

IPC: H01M4/139 ,  H01G13/00 ,  H01G9/058

Abstract: 本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊(10)，用于放出带状的金属箔(M)；涂敷部(11)，用于在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部(12)，用于使金属箔上的活性物质合剂干燥而形成活性物质层；卷取辊(13)，用于卷取金属箔。干燥部具有在金属箔的长度方向上排列配置的、用于照射红外线的多个杆式加热器(30)。干燥部被分割成多个区域(Ta、Tb、Tc)。每个区域的杆式加热器(30)的温度与在该每个区域中的活性物质合剂中的水的膜厚相对应地设定为不使活性物质合剂沸腾的范围的温度、且使水对红外线的吸收率为最大的温度。

公开(公告)号：CN102593420A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210010354.5

申请日：2012-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福冈哲夫 ,  寺田和雄 ,  北野高广

IPC: H01M4/139 ,  H01G9/045

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够适当地在带状的基材的表面形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔(M)的放卷辊(10)；在金属箔(M)的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部(11)；使金属箔(M)上的活性物质混合剂干燥而形成活性物质层的干燥部(12)；和卷取金属箔(M)的卷取辊(13)。干燥部(12)具有在金属箔(M)的长边方向排列配置且发出红外线的多个LED(30)。干燥部(12)被分割为多个区域(Ta、Tb、Tc)。一个区域(Ta、Tb、Tc)的LED(30)的峰值发光波长，是对于在该一个区域(Ta、Tb、Tc)中的活性物质混合剂中的水的膜厚，活性物质混合剂不沸腾的范围的红外线的波长，该发光波长被设定为水的红外线的吸收率达到最大的波长。

公开(公告)号：CN101996859A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010262548.5

申请日：2010-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新村聪 ,  福冈哲夫 ,  北野高广

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/4485

Abstract: 本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水化气体、还能抑制药液发生变质的疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质。疏水化处理装置包括：气化面形成部，其表面位于气化室内；气化面加热部件，其用于加热该气化面形成部；药液供给口，其用于将疏水化处理用的药液供给到上述气化面形成部的表面上；气体导入口，其用于将载气导入上述气化室内；引出口，其用于引出疏水化气体；处理容器，其用于将自上述引出口供给的疏水化气体供给到基板上。利用该结构能够将高浓度的疏水化气体供给到基板上，且由于在不进行处理时所贮存的药液不会与载气接触，因此能够抑制药液变质。

公开(公告)号：CN1924709B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610126641.7

申请日：2006-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福冈哲夫 ,  饱本正巳 ,  北野高广 ,  木村义雄 ,  林伸一 ,  伊东晃

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/16

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67748

Abstract: 加热装置(2)具有：壳体(20)；扁平的加热室(4)，设置在壳体(20)内，对作为基板的晶片(W)进行加热处理，并且一侧端为了送入送出晶片(W)而开口；热板(44、45)，设置在所述加热室(4)上，对所述晶片(W)从上方和下方进行加热。在所述壳体(20)内，与所述加热室(4)的开口端相邻地设置有冷却板(3)，对被热板(44、45)加热的晶片(W)进行冷却。所述壳体(20)内设置有输送组件，该输送组件在冷却板(3)的上方一侧位置与加热室(4)的内部之间进行所述晶片(W)的输送，在所述加热室(4)内在对晶片(W)进行保持的状态下进行基板的加热处理。

公开(公告)号：CN308920145S

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202330783752.X

申请日：2023-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 福冈哲夫 ,  境昌孝 ,  山崎刚 ,  道中悟志

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：处理用载体基板。
2.本外观设计产品的用途：本产品是用于承载例如多个芯片、半导体晶圆、玻璃基板等的载体。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
5.其他需要说明的情形其他说明：如参考图中A所示的位于产品底面的圆形部位均为贯通孔。