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公开(公告)号：CN102270577A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102256432A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN102256431A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN101667532B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910173129.1
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN101667533B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910173200.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101661863A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN1984523A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710004236.2
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H05H1/24 , H05H1/02 , H01L21/306 , C23C16/00 , C23F1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。
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公开(公告)号：CN1734712A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088802.3
申请日：2005-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的高频电力的频率的、从等离子体(P)看到的上部电极(4)一侧的电路的阻抗，使该电路不发生共振。在进行蚀刻处理时，通过调整，使得所述阻抗从共振点错开，以提高蚀刻处理的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN1476057A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03146681.8
申请日：2003-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/321
Abstract: 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN102157372B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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