公开(公告)号：CN101298650A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810040017.4

申请日：2008-07-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 王庆 ,  晁琦 ,  贾元波 ,  宋华锋 ,  董远达

IPC: C22C45/00

Abstract: 本发明涉及一种Ce－La基大块非晶合金，该合金是以铈、镧两种稀土元素为主要成分，且包含至少50％体积百分比的非晶相。其组成可用如下公式表示：(Ce1－xLax)aNibAlc，其中0.1≤x≤0.9，50≤a≤75，15≤b≤20，5≤c≤35，且a+b+c＝100。该非晶合金是以工业用的铈，镧原材料为基，纯度要求不高，因此成本相对于贵金属基大块非晶合金更为低廉。同时其临界冷却速率低，易于形成大尺寸的非晶合金。该大块非晶合金还具有较高的断裂强度和超低的弹性模量，是一种类似于聚合物的“软”非晶合金，在微机械，精密仪器和微纳米压印材料等领域具有潜在的工业应用前景。

公开(公告)号：CN116536628B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310522641.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄波 ,  吕慧 ,  易军 ,  王庆 ,  王刚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/00 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提出了一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法及产品，属于超导薄膜技术领域，该方法包括以下步骤：在氩气环境下，利用磁控溅射，以30‑60W的溅射功率溅射10min‑3h，将靶材Mo80Nb20沉积至Si衬底，得到所述纳米级非晶超导薄膜。本发明还公开了上述方法制备得到的纳米级非晶超导薄膜。本发明通过调整溅射过程中的功率以及溅射时间，简化了制备工艺，降低了成本，且制备出来的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜厚度分布均匀，质量和结构稳定。采用本发明制备的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜具有较高的临界转变温度，且存在明显的厚度相关性。

公开(公告)号：CN111715257B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202010544112.9

申请日：2020-06-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄守双 ,  汪杰 ,  王庆 ,  朱烨 ,  胡张军 ,  陈志文

IPC: B01J27/24 ,  C07D317/36 ,  C07D317/42

Abstract: 本发明公开了一种CO2环加成反应催化剂、其制备方法及其应用，本发明催化剂以硼掺杂的P型半导体为载体，对其进行铜/氮掺杂。铜在催化过程中可作为贫电子路易斯酸性中心催化二氧化碳环加成反应。而硼掺杂P型碳化硅则作为富电子路易斯碱性中心，通过铜/氮掺杂P型碳化硅界面处的电荷转移效应构筑酸碱催化中心。与现有技术相比，本发明成本低廉，方法简单，设计巧妙。所制备的材料对于CO2环加成反应有着很好的催化性能、优异的选择性和稳定性，有很高的实际应用前景。

公开(公告)号：CN105061869A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510319814.6

申请日：2015-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 贾少晋 ,  孙茜蒙 ,  侯啸天 ,  王庆 ,  吴伟 ,  江平开

IPC: C08L23/08 ,  C08L23/16 ,  C08L23/06 ,  C08L51/06 ,  C08K3/04 ,  C08K3/36 ,  C08K5/5425

CPC classification number: C08L23/0815 ,  C08K2201/003 ,  C08K2201/014 ,  C08L23/0853 ,  C08L23/16 ,  C08L2203/202 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/035 ,  C08L2205/08 ,  C08L2207/04 ,  C08L2207/066 ,  C08L2312/06 ,  C08L23/06 ,  C08L51/06 ,  C08K3/04 ,  C08K3/36 ,  C08K5/5425 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明公开了一种自限温加/伴热电缆用24V电压智能芯带材料及其制备方法，应用于功能性导电高分子复合材料制备的工艺技术领域。将聚乙烯辛烯异戊二烯、乙烯-醋酸乙烯酯、三元乙丙橡胶、线性低密度聚乙烯、相容剂及各种导电填料按一定组成在密炼机中熔融共混，造粒后挤出成缆，经150-250kGy辐照交联后得到低压聚合物芯带。材料导电性能在1-100Ω·cm，具有较强PTC效应，发热功率可达到10W/m以上，可应用为24V自限温/加伴热带芯带。

公开(公告)号：CN105061848A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510319909.8

申请日：2015-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 贾少晋 ,  孙茜蒙 ,  侯啸天 ,  王庆 ,  吴伟 ,  江平开

IPC: C08L23/06 ,  C08L23/08 ,  C08L91/06 ,  C08L51/06 ,  C08K13/02 ,  C08K3/04

CPC classification number: C08L23/06 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/014 ,  C08L23/0815 ,  C08L2203/20 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/035 ,  C08L2207/04 ,  C08L2312/06 ,  C08L23/0853 ,  C08L91/06 ,  C08L51/06 ,  C08K13/02 ,  C08K3/04

Abstract: 本发明公开了一种36V自限温加-伴热电缆芯带材料及其制备方法，应用于功能性导电高分子复合材料制备的工艺技术领域。将聚乙烯辛烯异戊二烯、聚乙烯-醋酸乙烯酯、三元乙丙橡胶、线性低密度聚乙烯、增容剂及各种导电填料按一定组成在密炼机中熔融共混，造粒后挤出成缆，经150-250kGy辐照交联后得到低压聚合物芯带。材料导电性能在1-100，具有较强PTC效应，发热功率可达到10W/m以上，可应用为24V自限温/加伴热带芯带。

公开(公告)号：CN1475595A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03141516.4

申请日：2003-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 肖学山 ,  王国明 ,  方守狮 ,  夏雷 ,  李维火 ,  华勤 ,  王庆 ,  董远达

IPC: C22C45/10

Abstract: 本发明涉及一种金属玻璃合金材料，特别是一种Zr基块体金属玻璃合金材料，属金属材料冶金技术领域。本发明的合金材料的组成及含量(原子百分比)为：Zr 51％－59％，Al 10％，Ni 10％，Cu 15％，Be 6％－14％。该Zr基块体金属玻璃合金材料具有超宽的过冷液相区温度、高强度、高的玻璃形成能力、高的热稳定性以及较低的熔点，是一种高性能的共晶金属玻璃合金材料。