公开(公告)号：CN109881251A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910139028.6

申请日：2019-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯鹤 ,  常靖宇 ,  张志军 ,  徐展 ,  赵景泰

IPC: C30B29/22 ,  C30B25/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  G01N23/04

Abstract: 本申请公开了稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法。所述单晶薄膜闪烁屏是在合适的单晶衬底上，生长稀土掺杂倍半氧化物单晶薄膜闪烁屏，其结构表述为：(Lu1-x-yMxREy)2O3。其中：0≤x≤1,0＜y≤0.3。RE代表Eu、Tb、Pr中的一种或多种，M代表Sc、Y、La、Gd、Hf中的一种或多种。本申请的单晶薄膜闪烁屏具有重密度，其中Lu2O3密度达9.42g/cm3，Eu在611nm的窄带发射与CCD响应曲线的匹配。本申请的制备方法不存在原料污染的问题，单晶薄膜质量高，光学性质和闪烁性能高。故本申请的单晶薄膜闪烁屏可以广泛应用于科学研究、医疗、安检、工业等领域中。