公开(公告)号：CN111919517A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980023118.7

申请日：2019-04-01

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 新井皓也 ,  驹崎雅人

IPC: H05K3/20 ,  C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明的陶瓷‑金属接合体的制造方法为在陶瓷基板的至少一个面接合有金属层的陶瓷‑金属接合体的制造方法，具有：槽形成工序，形成横穿陶瓷基板的接合金属层的接合区域而延伸的槽；及接合工序，在槽形成工序后，将厚度0.4mm以下的由铝或铝合金构成的金属板通过Al‑Si系钎料箔而层叠在陶瓷基板的接合区域，并朝层叠方向施加荷重的同时进行加热，将金属板接合在接合区域，从而形成金属层。

公开(公告)号：CN108780833A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016515.2

申请日：2017-03-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 中田嘉信 ,  新井皓也 ,  驹崎雅人

IPC: H01L35/14 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/20 ,  B22F7/06 ,  C22C13/00 ,  C22C23/00 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的特征在于，由Mg2Si构成的第一层和由Mg2SixSn1-x构成的第二层直接接合，其中，x为0以上且小于1，所述第二层在与所述第一层的接合面和接合面附近具有锡浓度过渡区域，在所述锡浓度过渡区域中，越远离所述接合面，锡浓度越增加。在此，接合面设为锡浓度在EDX测定中成为检测限以下的部位。