公开(公告)号：CN1941373A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610127037.6

申请日：2006-09-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  神田良 ,  菊地修一

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/761 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于向构成隔离区域的P型的扩散层的横方向的扩散变宽，有难以缩小设备大小的问题。在本发明的半导体装置中，在P型的单晶硅基板(6)上形成有N型的外延层(8)。基板(6)及外延层(8)由隔离区域(3)划分为多个元件形成区域。连结P型的埋入扩散层(47)和P型的扩散层(48)而形成隔离区域(3)。而且，P型的埋入扩散层(47)与N型的埋入扩散层(7、30)形成PN结。另一方面，P型的扩散层(48)与N型的扩散层(19、40)形成PN结。通过该结构，P型的埋入扩散层(47)及P型扩散层(48)，能够抑制横方向的扩散变宽，缩小设备大小。

公开(公告)号：CN1828898A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007007.1

申请日：2006-02-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 神田良 ,  菊地修一 ,  大竹诚治

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/62

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN接合区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，跨度(2)和外延层(3)上形成有N型埋入扩散层(4)。P型埋入扩散层(5)形成在N型埋入扩散层(4)上面的宽阔的区域，且形成有过电压保护用的PN接合区域(17)。P型扩散层(6)与P型埋入扩散层(5)连接形成。PN接合区域17的击穿电压比源－漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流的集中，且可由过电压保护半导体装置。

公开(公告)号：CN1604328A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410082525.0

申请日：2004-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 神田良 ,  大川重明 ,  吉武和广

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0821 ,  H01L27/0647

Abstract: 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在第二岛区(9)配置二极管(3)。二极管(3)的阳极区和横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)电连接，二极管(3)的阴极区和功率NPN晶体管(4)的集电极区电连接。由此，横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)与其他岛区的分离区相比为低电位，可以防止流入自由载流子(电子)。