公开(公告)号：CN1573843A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410005025.7

申请日：2004-02-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  李乙浩 ,  具在本 ,  李基龙 ,  朴惠香

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。

公开(公告)号：CN1527405A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410003656.5

申请日：2004-02-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  朴惠香

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/945

Abstract: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1512596A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310109779.2

申请日：2003-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  李基龙 ,  朴惠香

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，包含轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，形成薄膜晶体管，以便多晶硅衬底中的主晶粒边界不位于轻掺杂漏区(LDD)或偏移区中。

公开(公告)号：CN1503376A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03141122.3

申请日：2003-06-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  朴惠香

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明公开了一种具有很好的均匀性的薄膜晶体管，以及使用该薄膜晶体管的有机电致发光设备。该薄膜晶体管的特征在于多晶硅的主晶界不与漏极区和有源通道区间的边界相交，从而由于很好的电流特性，可提供具有很好的均匀性的薄膜晶体管，这样该薄膜晶体管能够在具有很好性能的有机电致发光设备中使用。