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公开(公告)号：CN118214378A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311226157.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种过电流保护电路和包括过电流保护电路的功率放大器，所述过电流保护电路包括：可变电压源，被配置为生成响应于可变电流而变化的第一电压；放大器，包括所述第一电压被施加到的第一输入端子；以及限制电流源，连接到所述放大器的第二输入端子并且被配置为生成对应于所述第一电压的限制电流。
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公开(公告)号：CN110138369B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910084196.X
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/284 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种射频开关装置。所述射频开关装置包括：开关电路，包括第一晶体管和第二晶体管；栅极电阻器电路，包括第一栅极电阻器和第二栅极电阻器，第一栅极电阻器连接到第一晶体管的栅极并且第二栅极电阻器连接到第二晶体管的栅极；栅极缓冲器电路，包括第一栅极缓冲器和第二栅极缓冲器，第一栅极缓冲器连接到第一栅极电阻器以通过第一栅极电阻器向第一晶体管提供第一栅极信号，第二栅极缓冲器连接到第二栅极电阻器以通过第二栅极电阻器向第二晶体管提供第二栅极信号；以及延迟电路，用于产生具有第一开关时间的第一栅极信号以及具有不同于第一开关时间的第二开关时间的第二栅极信号。
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公开(公告)号：CN109698677B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201811092328.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种包络跟踪偏置电路、功率放大装置和偏置电路。所述包络跟踪(ET)偏置电路包括：检测电路，被配置为响应于第一控制信号来选择通过所述检测电路的第一输入端子输入的ET操作电压或者从通过所述检测电路的第二输入端子输入的射频RF信号检测的包络信号，并输出所述ET操作电压和所述包络信号中的选择的一个作为检测信号；放大电路，被配置为放大所述检测信号，并输出所述放大的检测信号；以及偏置输出电路，被配置为基于所述放大的检测信号生成ET偏置电流，并输出所述生成的ET偏置电流。
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公开(公告)号：CN110838824A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910221300.5
申请日：2019-03-22
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于改善线性度的偏置电路和功率放大器，所述偏置电路包括：电流源，用于产生参考电流；温度补偿部，响应于第一控制信号而在初始启动时段内处于断开状态，并且在所述初始启动时段之后的正常驱动时段内处于导通状态，并且接收所述参考电流的第一电流；以及偏置输出部，在所述初始启动时段内基于所述参考电流产生预热电流，并且在所述正常驱动时段内基于比所述参考电流低所述第一电流的量的第二电流产生偏置电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212899A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910137648.6
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/16
Abstract: 本公开涉及一种用于确定RF开关的最佳堆叠数量的设备和方法，其中，栅极截止电压和基体截止电压被用于控制串联堆叠的晶体管进入截止状态。所述设备包括：存储器，被配置为：存储对应频带中的高频信号的峰值电压以及针对所述晶体管中的每个晶体管的对应工艺中的栅极极限电压、漏-源极限电压和基体极限电压；以及处理器，被配置为：使用所述峰值电压、所述栅极极限电压、所述漏-源极限电压和所述基体极限电压计算栅极端电压、漏-源电压和基体端电压，并且基于所述栅极端电压、所述栅极极限电压、所述漏-源电压、所述漏-源极限电压、所述基体端电压和所述基体极限电压，确定最佳堆叠数量。
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公开(公告)号：CN110138369A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910084196.X
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/284 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种射频开关装置。所述射频开关装置包括：开关电路，包括第一晶体管和第二晶体管；栅极电阻器电路，包括第一栅极电阻器和第二栅极电阻器，第一栅极电阻器连接到第一晶体管的栅极并且第二栅极电阻器连接到第二晶体管的栅极；栅极缓冲器电路，包括第一栅极缓冲器和第二栅极缓冲器，第一栅极缓冲器连接到第一栅极电阻器以通过第一栅极电阻器向第一晶体管提供第一栅极信号，第二栅极缓冲器连接到第二栅极电阻器以通过第二栅极电阻器向第二晶体管提供第二栅极信号；以及延迟电路，用于产生具有第一开关时间的第一栅极信号以及具有不同于第一开关时间的第二开关时间的第二栅极信号。
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公开(公告)号：CN109698677A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811092328.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种包络跟踪偏置电路、功率放大装置和偏置电路。所述包络跟踪(ET)偏置电路包括：检测电路，被配置为响应于第一控制信号来选择通过所述检测电路的第一输入端子输入的ET操作电压或者从通过所述检测电路的第二输入端子输入的射频RF信号检测的包络信号，并输出所述ET操作电压和所述包络信号中的选择的一个作为检测信号；放大电路，被配置为放大所述检测信号，并输出所述放大的检测信号；以及偏置输出电路，被配置为基于所述放大的检测信号生成ET偏置电流，并输出所述生成的ET偏置电流。
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公开(公告)号：CN118508886A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410008166.1
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种包络跟踪偏置电路及偏置电流生成方法，所述包络跟踪偏置电路生成供应至对射频(RF)信号进行放大的功率放大器的偏置电流。所述包络跟踪偏置电路包括：包络检测器，被配置为检测所述RF信号的包络信号；包络带宽检测器，被配置为检测所述包络信号的频带；以及偏置输出电路，当所述包络信号的所述频带大于或等于预定频率时，所述偏置输出电路基于所述包络信号的平均幅度生成第一偏置电流，并且当所述包络信号的所述频带小于所述预定频率时，所述偏置输出电路基于所述包络信号生成第二偏置电流。
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公开(公告)号：CN118473208A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410030521.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H02M3/07
Abstract: 本公开提供一种电荷泵系统，所述电荷泵系统包括：电荷泵电路，包括被配置为接收输入电压的输入端子和被配置为输出输出电压的输出端子，并且被配置为将所述输入电压转换为所述输出电压；第一电阻器，包括连接到参考电压的一个端子；第二电阻器，连接在所述第一电阻器的另一端子和电荷泵电路的所述输出端子之间；第三电阻器，包括连接到所述参考电压的一个端子；第四电阻器，连接在所述第三电阻器的另一端子和地之间；放大器，包括连接到所述第一电阻器的所述另一端子的第一输入端子、连接到所述第三电阻器的所述另一端子的第二输入端子；以及第一晶体管，包括连接到所述放大器的输出端子的控制端子和连接到电荷泵电路的所述输入端子的第一端子。
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