多层陶瓷电容器及其制造方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120015525A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411292028.7

    申请日:2024-09-14

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器可包括:电容器主体,包括介电层和内电极层;以及外电极,设置在所述电容器主体上,其中,所述介电层可包括多个介电晶粒和位于彼此相邻的所述介电晶粒之间的晶界,其中,所述介电晶粒可包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分,其中,所述晶界包括硅(Si)、镝(Dy)和铽(Tb),并且其中,包括在所述晶界中的硅(Si)、镝(Dy)和铽(Tb)的摩尔含量的顺序为铽(Tb)

    多层陶瓷电容器
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115064381B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202210900734.X

    申请日:2020-05-06

    Abstract: 提供一种多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极。所述介电层包含含有介电陶瓷组合物的介电晶粒,所述介电陶瓷组合物包含基体材料主成分和副成分,所述基体材料主成分包含从由BaTiO3、(Ba1‑xCax)(Ti1‑yCay)O3(0≤x≤0.3且0≤y≤0.1)、(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3(0≤x≤0.3且0≤y≤0.5)和Ba(Ti1‑yZry)O3(0

    多层电子组件和制造多层电子组件的方法

    公开(公告)号:CN116913685A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202211468402.5

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和制造多层电子组件的方法。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上。所述介电层包括BaTiO3基基体材料主成分、含Dy的副成分和添加剂。所述添加剂为Sm、Gd和Tb中的一种或更多种,所述添加剂的含量相对于100mol的Dy大于等于25mol且小于50mol。所述介电层包括多个介电晶粒。当所述多个介电晶粒的平均粒径由G表示,所述介电层的平均厚度由td表示时,满足1.75≤td/G≤2.23。

    多层陶瓷电容器
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115064381A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210900734.X

    申请日:2020-05-06

    Abstract: 提供一种多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极。所述介电层包含含有介电陶瓷组合物的介电晶粒,所述介电陶瓷组合物包含基体材料主成分和副成分,所述基体材料主成分包含从由BaTiO3、(Ba1‑xCax)(Ti1‑yCay)O3(0≤x≤0.3且0≤y≤0.1)、(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3(0≤x≤0.3且0≤y≤0.5)和Ba(Ti1‑yZry)O3(0

    多层陶瓷电子组件
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114974887A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111579198.X

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体、第一外电极和第二外电极,所述陶瓷主体包括电容形成部、第一边缘部和第二边缘部,所述电容形成部包括介电层以及第一内电极和第二内电极,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述第一边缘部设置在所述电容形成部的一个表面上,所述第二边缘部设置在所述电容形成部的另一表面上。满足‑0.1≤(Tm‑Ta)/Ta,其中,Tm是所述第一边缘部和所述第二边缘部中的至少一者在第二方向上的中央区域的平均高度,Ta是所述电容形成部在第二方向上的外部区域的平均高度。

    陶瓷电子组件
    27.
    发明公开
    陶瓷电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114823136A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202111611367.3

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上并且连接到所述内电极。所述介电层包含多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界,并且GB1/G1为5或更大,其中,G1是所述晶粒的Si的质量含量,并且GB1是所述晶界的Si的质量含量。

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